IPB048N15N5LF - описание и поиск аналогов

 

IPB048N15N5LF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPB048N15N5LF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для IPB048N15N5LF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB048N15N5LF даташит

 ..1. Size:899K  infineon
ipb048n15n5lf.pdfpdf_icon

IPB048N15N5LF

IPB048N15N5LF MOSFET D PAK OptiMOSTM 5 Linear FET, 150 V Features Ideal for hot-swap and e-fuse applications Very low on-resistance R DS(on) Wide safe operating area SOA N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target applications Halogen-free according to IEC61249-2-21 Drain

 ..2. Size:229K  inchange semiconductor
ipb048n15n5lf.pdfpdf_icon

IPB048N15N5LF

isc N-Channel MOSFET Transistor IPB048N15N5LF DESCRIPTION Drain Current I = 120A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 150V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS . Designed for high current, high speed switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) C SYMBOL ARAMETER

 3.1. Size:1005K  1
ipb048n15n5.pdfpdf_icon

IPB048N15N5LF

IPB048N15N5 MOSFET D PAK OptiMOS 5 Power-Transistor, 150 V Features tab Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) Very low reverse recovery charge (Qrr) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application 1 Ideal for high-frequency switching and

 3.2. Size:1005K  infineon
ipb048n15n5.pdfpdf_icon

IPB048N15N5LF

IPB048N15N5 MOSFET D PAK OptiMOS 5 Power-Transistor, 150 V Features tab Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) Very low reverse recovery charge (Qrr) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application 1 Ideal for high-frequency switching and

Другие MOSFET... 36N06 , 65N06 , FCP125N65S3 , FKI10300 , FMH08N80E , FQU10N20 , IPA180N10N3 , IPA60R120P7 , SI2302 , IPD031N06L3 , IPD033N06N , IPD034N06N3 , IPD036N04L , IPD038N06N3 , IPD046N08N5 , IPD048N06L3 , IPD050N10N5 .

History: APT10040B2VR

 

 

 

 

↑ Back to Top
.