Справочник MOSFET. SFR9130

 

SFR9130 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFR9130
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SFR9130

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFR9130 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:262K  fairchild semi
 sfu9130 sfr9130.pdf pdf_icon

SFR9130

SFR/U9130Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -9.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD-PAK I-PAK Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -100V Lower RDS(ON) : 0.225 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum

 ..2. Size:498K  samsung
 sfr9130.pdf pdf_icon

SFR9130

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -9.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -100V Lower RDS(ON) : 0.225 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol C

 9.1. Size:250K  fairchild semi
 sfr9110tf.pdf pdf_icon

SFR9130

SFR/U9110Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 Vn Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.2 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input CapacitanceID = -2.8 An Improved Gate Chargen Extended Safe Operating AreaD-PAK I-PAKn Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -100Vn Lower RDS(ON) : 0.912 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute M

 9.2. Size:228K  fairchild semi
 sfr9120 sfu9120.pdf pdf_icon

SFR9130

SFR/U9120Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 Vn Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.6 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input CapacitanceID = -4.9 An Improved Gate Chargen Extended Safe Operating AreaD-PAK I-PAKn Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -100Vn Lower RDS(ON) : 0.444 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute M

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SFP9Z24 , SFP9Z34 , SFR2955 , SFR9014 , SFR9024 , SFR9034 , SFR9110 , SFR9120 , HY1906P , SFR9210 , SFR9214 , SFR9220 , SFR9224 , SFS2955 , SFS9510 , SFS9520 , SFS9530 .

 

 
Back to Top

 


 
.