SFR9130 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFR9130

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SFR9130

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFR9130 даташит

 ..1. Size:262K  fairchild semi
 sfu9130 sfr9130.pdf pdf_icon

SFR9130

SFR/U9130 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -9.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area D-PAK I-PAK Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -100V Lower RDS(ON) 0.225 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum

 ..2. Size:498K  samsung
 sfr9130.pdf pdf_icon

SFR9130

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -9.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -100V Lower RDS(ON) 0.225 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol C

 9.1. Size:250K  fairchild semi
 sfr9110tf.pdf pdf_icon

SFR9130

SFR/U9110 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -100 V n Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.2 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input Capacitance ID = -2.8 A n Improved Gate Charge n Extended Safe Operating Area D-PAK I-PAK n Lower Leakage Current 10 A(Max.) @ VDS = -100V n Lower RDS(ON) 0.912 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute M

 9.2. Size:228K  fairchild semi
 sfr9120 sfu9120.pdf pdf_icon

SFR9130

SFR/U9120 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -100 V n Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.6 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input Capacitance ID = -4.9 A n Improved Gate Charge n Extended Safe Operating Area D-PAK I-PAK n Lower Leakage Current 10 A(Max.) @ VDS = -100V n Lower RDS(ON) 0.444 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute M

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SFP9Z24, SFP9Z34, SFR2955, SFR9014, SFR9024, SFR9034, SFR9110, SFR9120, IRFB7545, SFR9210, SFR9214, SFR9220, SFR9224, SFS2955, SFS9510, SFS9520, SFS9530