Справочник MOSFET. MDF18N50

 

MDF18N50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MDF18N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 74 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 302 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для MDF18N50

 

 

MDF18N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:819K  magnachip
 mdf18n50.pdf

MDF18N50 MDF18N50

MDF18N50 N-Channel MOSFET 500V, 18 A, 0.27 General Description Features The MDF18N50 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 500V DSTechnology, which provides low on-state resistance, high I = 18A @V = 10V D GS R 0.27 @V = 10V switching performance and excellent quality. DS(ON) GSMDF18N50 is suitable device for SMPS, high speed switching Applications and general

 0.1. Size:1244K  magnachip
 mdf18n50bth mdp18n50bth.pdf

MDF18N50 MDF18N50

MDP18N50B / MDF18N50B N-Channel MOSFET 500V, 18.0 A, 0.27General Description Features The MDP/F18N50B uses advanced Magnachips VDS = 500V MOSFET Technology, which provides low on-state ID = 18.0A @VGS = 10V resistance, high switching performance and RDS(ON) 0.27 @VGS = 10V excellent quality. MDP/F18N50B is suitable device for SMPS, HID Applications and general

 0.2. Size:245K  inchange semiconductor
 mdf18n50th.pdf

MDF18N50 MDF18N50

isc N-Channel MOSFET Transistor MDF18N50THFEATURES Drain-source on-resistance:RDS(on) 0.27 (max)Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONPower SupplyHigh Current, High Speed SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER

 0.3. Size:245K  inchange semiconductor
 mdf18n50bth.pdf

MDF18N50 MDF18N50

isc N-Channel MOSFET Transistor MDF18N50BTHFEATURES Drain-source on-resistance:RDS(on) 0.27 (max)Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONPower SupplyHigh Current, High Speed SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top