MDF18N50 - аналоги и даташиты транзистора

 

MDF18N50 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MDF18N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 302 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для MDF18N50

 

MDF18N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:819K  magnachip
 mdf18n50.pdf pdf_icon

MDF18N50

MDF18N50 N-Channel MOSFET 500V, 18 A, 0.27 General Description Features The MDF18N50 uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 500V DS Technology, which provides low on-state resistance, high I = 18A @V = 10V D GS R 0.27 @V = 10V switching performance and excellent quality. DS(ON) GS MDF18N50 is suitable device for SMPS, high speed switching Applications and general

 0.1. Size:1244K  magnachip
 mdf18n50bth mdp18n50bth.pdf pdf_icon

MDF18N50

MDP18N50B / MDF18N50B N-Channel MOSFET 500V, 18.0 A, 0.27 General Description Features The MDP/F18N50B uses advanced Magnachip s VDS = 500V MOSFET Technology, which provides low on-state ID = 18.0A @VGS = 10V resistance, high switching performance and RDS(ON) 0.27 @VGS = 10V excellent quality. MDP/F18N50B is suitable device for SMPS, HID Applications and general

 0.2. Size:245K  inchange semiconductor
 mdf18n50th.pdf pdf_icon

MDF18N50

isc N-Channel MOSFET Transistor MDF18N50TH FEATURES Drain-source on-resistance RDS(on) 0.27 (max) Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Power Supply High Current, High Speed Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER

 0.3. Size:245K  inchange semiconductor
 mdf18n50bth.pdf pdf_icon

MDF18N50

isc N-Channel MOSFET Transistor MDF18N50BTH FEATURES Drain-source on-resistance RDS(on) 0.27 (max) Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Power Supply High Current, High Speed Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFR7740 , IRFR7746 , IRFR812 , IRFR825TR , IRFR8314 , IRFS3307ZTRL , IRFS7534TRLPBF , ISTP16NF06 , IRF1405 , MDP1723 , MDP1922 , P50NF06 , SCT3060AL , SPA11N60C3E8185 , SPD30N03S2L , SPD50N03S2 , SUD70090E .

 

 
Back to Top

 


 
.