Справочник MOSFET. SPA11N60C3E8185

 

SPA11N60C3E8185 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SPA11N60C3E8185
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для SPA11N60C3E8185

 

 

SPA11N60C3E8185 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:678K  infineon
 spp11n60c3 spi11n60c3 spa11n60c3 spa11n60c3e8185.pdf

SPA11N60C3E8185 SPA11N60C3E8185

SPP11N60C3SPI11N60C3, SPA11N60C3, SPA11N60C3 E8185Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 0.38 New revolutionary high voltage technologyID 11 A Ultra low gate chargePG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated3 High peak current capability21P-TO220-3-31 Improved transconductance PG-TO-2

 0.2. Size:246K  inchange semiconductor
 spa11n60c3e8185.pdf

SPA11N60C3E8185 SPA11N60C3E8185

isc N-Channel MOSFET Transistor SPA11N60C3E8185SPA11N60C3E8185FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.38Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONUltra low gate chargeHigh peak current capabilityImproved transconductanceA

 4.1. Size:654K  infineon
 spp11n60c3 spi11n60c3 spa11n60c3 e8185 rev.3.2.pdf

SPA11N60C3E8185 SPA11N60C3E8185

SPP11N60C3SPI11N60C3, SPA11N60C3, SPA11N60C3 E8185Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 0.38 New revolutionary high voltage technologyID 11 A Ultra low gate chargePG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated3 High peak current capability21P-TO220-3-31 Improved transconductance PG-TO-2

 4.2. Size:201K  inchange semiconductor
 spa11n60c3.pdf

SPA11N60C3E8185 SPA11N60C3E8185

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor SPA11N60C3FEATURESNew revolutionary high voltage technologyUltra low gate chargeHigh peak current capabilityImproved transconductance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top