SPD50N03S2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SPD50N03S2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0073 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SPD50N03S2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPD50N03S2 даташит

 ..1. Size:243K  inchange semiconductor
 spd50n03s2.pdf pdf_icon

SPD50N03S2

isc N-Channel MOSFET Transistor SPD50N03S2,ISPD50N03S2 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 7.3m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Superior thermal resistance ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 3

 0.1. Size:1183K  infineon
 spd50n03s2l-06.pdf pdf_icon

SPD50N03S2

SPD50N03S2L-06 OptiMOS Power-Transistor Feature Product Summary N-Channel VDS 30 V Enhancement mode RDS(on) 6.4 m Logic Level ID 50 A P - TO252 -3 High Current Rating Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) Superior thermal resistance 175 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Ug2kwjj qjfi uqfynsl@ W tMX htruqnfsy

 0.2. Size:272K  infineon
 spd50n03s2l-06 spd50n03s2l-06t.pdf pdf_icon

SPD50N03S2

SPD50N03S2L-06 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 30 V N-Channel RDS(on) 6.4 m Enhancement mode ID 50 A Logic Level PG-TO252-3-11 High Current Rating Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) Superior thermal resistance 175 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Type Package Ordering Code Marking SP

 0.3. Size:1181K  infineon
 spd50n03s2-07 .pdf pdf_icon

SPD50N03S2

SPD50N03S2-07 G OptiMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 30 V N-Channel RDS(on) 7.3 m Enhancement mode ID 50 A Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) P -TO252-3 Superior thermal resistance 175 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Ug2kwjj qjfi uqfynsl@ W tMX htruqnfsy Type Package Marking SPD50N03S2-07 L PN0307

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... ISTP16NF06, MDF18N50, MDP1723, MDP1922, P50NF06, SCT3060AL, SPA11N60C3E8185, SPD30N03S2L, 8N65, SUD70090E, 2N3380, 2N3382, 2N3384, 2N3386, 2N3970, 2N3971, 2N3972