2N7002KT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2N7002KT1G
Маркировка: 704
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.42 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.38 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 0.7 nC
trⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 4.2 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для 2N7002KT1G
2N7002KT1G Datasheet (PDF)
2n7002kt1g.pdf
2N7002K, 2V7002KSmall Signal MOSFET60 V, 380 mA, Single, N-Channel, SOT-23Features ESD Protected Low RDS(on)http://onsemi.com Surface Mount Package 2V Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAXSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and1.6 W @ 10 VPPAP Capable60 V 380 mA2.5 W @ 4.5 V Thes
2n7002kt.pdf
2N7002KTN-Channel ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET3P b Lead(Pb)-Free12FEATURES:SC-89* Gate-Source ESD Protected: 1500 V* Fast Switching SpeedDrain* Low On-Resistance* Low Voltage Driver3APPLICATIONS:* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers,Displays, Memories* Battery Operated Systems* Power Supply Converter Circuits1 (Top View) 2* Load/Power Switching Ce
2n7002ktb.pdf
2N7002KTB60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD ProtectedFEATURES RDS(ON), VGS@10V,IDS@500mA=3 RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@200mA=4 Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Very Low Leakage Current In Off Condition0.052(1.30)0.024(0.60) Specially Designed for Battery Operated Systems, Solid-State Relays0.
2n7002kt.pdf
2N7002KTN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorProduct Summary V 60VDS I 100mAD R ( at V =10V) 8.0 DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 13.0 DS(ON) GS ESD Protected Up to 2.0KV (HBM)General Description Trench Power LV MOSFET technology High Power and current handing capabilityApplications SOT-523 Load/Power Switching Int
2n7002kt.pdf
2N7002KT SOT-523 Plastic-Encapsulate Mosfets Features Gate 1 High density cell design for low R DS (ON) Voltage controlled small signal switch 3 Drain Rugged and reliable High saturation current capability Source 2Applications (Top View) Load Switch for Portable Devices DC/DC Converter Marking: KN Maximum Ratings (T =25C unless otherwise spe
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918