SFS9640 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFS9640

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 207 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SFS9640

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFS9640 даташит

 ..1. Size:505K  samsung
 sfs9640.pdf pdf_icon

SFS9640

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -6.2 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -200V Low RDS(ON) 0.344 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic V

 8.1. Size:503K  samsung
 sfs9644.pdf pdf_icon

SFS9640

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -250 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -4.9 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -250V Low RDS(ON) 0.549 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic V

 9.1. Size:256K  fairchild semi
 sfs9634.pdf pdf_icon

SFS9640

SFS9634 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -250 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -3.4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-220F Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -250V Low RDS(ON) 0.876 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol

 9.2. Size:502K  samsung
 sfs9630.pdf pdf_icon

SFS9640

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -4.4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -200V Low RDS(ON) 0.581 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SFS9530, SFS9540, SFS9610, SFS9614, SFS9620, SFS9624, SFS9630, SFS9634, 20N60, SFS9644, SFS9Z14, SFS9Z24, SFS9Z34, SFU2955, SFU9014, SFU9024, SFU9034