Справочник MOSFET. 12N50A

 

12N50A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 12N50A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 120 nC
   trⓘ - Время нарастания: 190 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: LCC

 Аналог (замена) для 12N50A

 

 

12N50A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:34K  microsemi
 12n50a.pdf

12N50A 12N50A

2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220 MSAER12N50AFAX: (714) 966-5256MSAFR12N50AFeatures500 Volts Ultrafast rectifier in parallel with the body diode (MSAE type only)12 Amps Rugged polysilicon gate cell structure Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability400 m Hermetically sealed, surface mount power package Low p

 0.1. Size:175K  international rectifier
 irfbl12n50a.pdf

12N50A 12N50A

PD - 91818ASMPS MOSFETIRFBL12N50AHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply 500V 0.45 13A High Speed Power SwitchingBenefits Low Gate Charge Qg Results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance andSuper-D2PakTMAvalanche V

 0.2. Size:62K  ixys
 ixth12n50a ixtm12n50a.pdf

12N50A 12N50A

VDSS ID25 RDS(on)StandardIXTH 12 N50A 500 V 12 A 0.4 Power MOSFETIXTM 12 N50A 500 V 12 A 0.4 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VD (TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C12 AIDM TC

 0.3. Size:44K  microsemi
 msaer12n50a msafr12n50a.pdf

12N50A 12N50A

2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220 MSAER12N50AFAX: (714) 966-5256MSAFR12N50AFeatures500 Volts Ultrafast rectifier in parallel with the body diode (MSAE type only)12 Amps Rugged polysilicon gate cell structure Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability400 m Hermetically sealed, surface mount power package Low p

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SFS9644

 

 
Back to Top