Справочник MOSFET. IRF60B217

 

IRF60B217 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF60B217
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.7 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 44 nC
   trⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для IRF60B217

 

 

IRF60B217 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:227K  infineon
irf60b217.pdf

IRF60B217 IRF60B217

IR MOSFET StrongIRFET IRF60B217 HEXFET Power MOSFET Application D VDSS 60V Brushed Motor drive applications BLDC Motor drive applications RDS(on) typ. 7.3mBattery powered circuits G max 9.0m Half-bridge and full-bridge topologies S Synchronous rectifier applications ID 60A Resonant mode power supplies

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
irf60b217.pdf

IRF60B217 IRF60B217

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF60B217IIRF60B217FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 9.0mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAX

 9.1. Size:524K  infineon
irf60dm206.pdf

IRF60B217 IRF60B217

StrongIRFET IRF60DM206 DirectFET N-Channel Power MOSFET Application Brushed motor drive applications VDSS 60V BLDC motor drive applications RDS(on) typ. Battery powered circuits 2.2m Half-bridge and full-bridge topologies max 2.9m Synchronous rectifier applications Resonant mode power supplies ID 130A

 9.2. Size:470K  infineon
irf60r217.pdf

IRF60B217 IRF60B217

IR MOSFET StrongIRFET IRF60R217 Application D VDSS 60V Brushed Motor drive applications BLDC Motor drive applications RDS(on) typ. 8.0mBattery powered circuits G Half-bridge and full-bridge topologies max 9.9m Synchronous rectifier applications SID 58A Resonant mode power supplies OR-ing and redunda

 9.3. Size:242K  inchange semiconductor
irf60r217.pdf

IRF60B217 IRF60B217

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF60R217, IIRF60R217FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)9.9mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSynchronous rectifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top