IRF60B217 - описание и поиск аналогов

 

IRF60B217. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF60B217

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для IRF60B217

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF60B217 даташит

 ..1. Size:227K  infineon
 irf60b217.pdf pdf_icon

IRF60B217

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 irf60b217.pdf pdf_icon

IRF60B217

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRF60B217 IIRF60B217 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 9.0m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAX

 9.1. Size:524K  international rectifier
 irf60dm206.pdf pdf_icon

IRF60B217

 9.2. Size:470K  infineon
 irf60r217.pdf pdf_icon

IRF60B217

IR MOSFET StrongIRFET IRF60R217 Application D VDSS 60V Brushed Motor drive applications BLDC Motor drive applications RDS(on) typ. 8.0m Battery powered circuits G Half-bridge and full-bridge topologies max 9.9m Synchronous rectifier applications S ID 58A Resonant mode power supplies OR-ing and redunda

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPW60R060C7 , IPW60R070CFD7 , IPW60R080P7 , IPW60R099P7 , IPW60R120C7 , IPW60R170CFD7 , IRF200P223 , IRF250P225 , AO4407A , IRF630NSTRRPBF , IRFP4127 , IRFP4868 , IRFP7537 , IRFP7718 , IRL40B212 , IRL40B215 , IRL60B216 .

History: APM9948K

 

 

 

 

↑ Back to Top
.