IRF60B217 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF60B217
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.7 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 44 nC
trⓘ - Время нарастания: 37 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
IRF60B217 Datasheet (PDF)
irf60b217.pdf
IR MOSFET StrongIRFET IRF60B217 HEXFET Power MOSFET Application D VDSS 60V Brushed Motor drive applications BLDC Motor drive applications RDS(on) typ. 7.3mBattery powered circuits G max 9.0m Half-bridge and full-bridge topologies S Synchronous rectifier applications ID 60A Resonant mode power supplies
irf60b217.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF60B217IIRF60B217FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 9.0mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAX
irf60dm206.pdf
StrongIRFET IRF60DM206 DirectFET N-Channel Power MOSFET Application Brushed motor drive applications VDSS 60V BLDC motor drive applications RDS(on) typ. Battery powered circuits 2.2m Half-bridge and full-bridge topologies max 2.9m Synchronous rectifier applications Resonant mode power supplies ID 130A
irf60r217.pdf
IR MOSFET StrongIRFET IRF60R217 Application D VDSS 60V Brushed Motor drive applications BLDC Motor drive applications RDS(on) typ. 8.0mBattery powered circuits G Half-bridge and full-bridge topologies max 9.9m Synchronous rectifier applications SID 58A Resonant mode power supplies OR-ing and redunda
irf60r217.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF60R217, IIRF60R217FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)9.9mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSynchronous rectifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918