IRL8114 - описание и поиск аналогов

 

IRL8114. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRL8114

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 103 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для IRL8114

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL8114 даташит

 ..1. Size:423K  international rectifier
irl8114pbf.pdfpdf_icon

IRL8114

IRL8114PbF HEXFET Power MOSFET Application Optimized for UPS/Inverter Applications VDSS 30V D Low Voltage Power Tools RDS(on) typ. 3.5m max 4.5m G Benefits ID (Silicon Limited) 120A Low RDS(on) at 4.5V VGS S Low Gate Charge ID (Package Limited) 90A Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA Lead-Free

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
irl8114.pdfpdf_icon

IRL8114

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRL8114 IIRL8114 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 4.5m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM R

 8.1. Size:279K  international rectifier
irl8113lpbf irl8113spbf irl8113pbf.pdfpdf_icon

IRL8114

PD - 95582 IRL8113PbF IRL8113SPbF IRL8113LPbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power VDSS RDS(on) max Qg (Typ.) l Lead-Free 30V 6.0m 23nC Benefits l Low RDS(on) at 4.5V VGS l Low Gate Charge l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current TO-220AB D2Pak TO-262 IRL8113 IRL8113S IRL8113L Absolute Maximum

 8.2. Size:269K  inchange semiconductor
irl8113s.pdfpdf_icon

IRL8114

isc N-Channel MOSFET Transistor IRL8113S DESCRIPTION Static drain-source on-resistance RDS(on) 6m @V = 10V GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS . Provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(

Другие MOSFET... IRF630NSTRRPBF , IRFP4127 , IRFP4868 , IRFP7537 , IRFP7718 , IRL40B212 , IRL40B215 , IRL60B216 , 20N60 , TK10A50W , TK10A60D5 , TK10A80W , TK10E80W , TK12A50D5 , TK12A50W , TK12A80W , TK17A65W .

History: LDP9933ET1G | FDP027N08B | IRFH5304

 

 

 

 

↑ Back to Top
.