IRL8114. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRL8114
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 103 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для IRL8114
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRL8114 даташит
irl8114pbf.pdf
IRL8114PbF HEXFET Power MOSFET Application Optimized for UPS/Inverter Applications VDSS 30V D Low Voltage Power Tools RDS(on) typ. 3.5m max 4.5m G Benefits ID (Silicon Limited) 120A Low RDS(on) at 4.5V VGS S Low Gate Charge ID (Package Limited) 90A Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA Lead-Free
irl8114.pdf
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRL8114 IIRL8114 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 4.5m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM R
irl8113lpbf irl8113spbf irl8113pbf.pdf
PD - 95582 IRL8113PbF IRL8113SPbF IRL8113LPbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power VDSS RDS(on) max Qg (Typ.) l Lead-Free 30V 6.0m 23nC Benefits l Low RDS(on) at 4.5V VGS l Low Gate Charge l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current TO-220AB D2Pak TO-262 IRL8113 IRL8113S IRL8113L Absolute Maximum
irl8113s.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRL8113S DESCRIPTION Static drain-source on-resistance RDS(on) 6m @V = 10V GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS . Provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(
Другие MOSFET... IRF630NSTRRPBF , IRFP4127 , IRFP4868 , IRFP7537 , IRFP7718 , IRL40B212 , IRL40B215 , IRL60B216 , 20N60 , TK10A50W , TK10A60D5 , TK10A80W , TK10E80W , TK12A50D5 , TK12A50W , TK12A80W , TK17A65W .
History: LDP9933ET1G | FDP027N08B | IRFH5304
History: LDP9933ET1G | FDP027N08B | IRFH5304
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06 | 2sa1837


