TK10E80W - описание и поиск аналогов

 

TK10E80W. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK10E80W

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для TK10E80W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK10E80W даташит

 ..1. Size:421K  toshiba
tk10e80w.pdfpdf_icon

TK10E80W

TK10E80W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK10E80W TK10E80W TK10E80W TK10E80W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.46 (typ.) by using Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhan

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
tk10e80w.pdfpdf_icon

TK10E80W

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK10E80W ITK10E80W FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 0.55 . Enhancement mode Vth =3.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.45mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

 9.1. Size:251K  toshiba
tk10e60w.pdfpdf_icon

TK10E80W

TK10E60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK10E60W TK10E60W TK10E60W TK10E60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.327 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E

 9.2. Size:246K  inchange semiconductor
tk10e60w.pdfpdf_icon

TK10E80W

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK10E60W ITK10E60W FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 0.38 . Enhancement mode Vth =2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=0.5mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

Другие MOSFET... IRFP7718 , IRL40B212 , IRL40B215 , IRL60B216 , IRL8114 , TK10A50W , TK10A60D5 , TK10A80W , IRFP460 , TK12A50D5 , TK12A50W , TK12A80W , TK17A65W , TK17A65W5 , TK17E80W , TK19A50W , TK22A65X5 .

History: TK10A60D5

 

 

 

 

↑ Back to Top
.