TK10E80W - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TK10E80W
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для TK10E80W
TK10E80W Datasheet (PDF)
tk10e80w.pdf

TK10E80WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK10E80WTK10E80WTK10E80WTK10E80W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.46 (typ.)by using Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhan
tk10e80w.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK10E80WITK10E80WFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.55.Enhancement mode:Vth =3.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.45mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =
tk10e60w.pdf

TK10E60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK10E60WTK10E60WTK10E60WTK10E60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.327 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E
tk10e60w.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK10E60WITK10E60WFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.38.Enhancement mode:Vth =2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=0.5mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2
Другие MOSFET... IRFP7718 , IRL40B212 , IRL40B215 , IRL60B216 , IRL8114 , TK10A50W , TK10A60D5 , TK10A80W , IRF640 , TK12A50D5 , TK12A50W , TK12A80W , TK17A65W , TK17A65W5 , TK17E80W , TK19A50W , TK22A65X5 .
History: CS25N06B3
History: CS25N06B3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06 | 2sa1837 | ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198