Справочник MOSFET. TK10E80W

 

TK10E80W MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK10E80W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 19 nC
   Время нарастания (tr): 35 ns
   Выходная емкость (Cd): 27 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для TK10E80W

 

 

TK10E80W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:421K  toshiba
tk10e80w.pdf

TK10E80W
TK10E80W

TK10E80WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK10E80WTK10E80WTK10E80WTK10E80W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.46 (typ.)by using Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhan

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
tk10e80w.pdf

TK10E80W
TK10E80W

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK10E80WITK10E80WFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.55.Enhancement mode:Vth =3.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.45mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

 9.1. Size:251K  toshiba
tk10e60w.pdf

TK10E80W
TK10E80W

TK10E60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK10E60WTK10E60WTK10E60WTK10E60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.327 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E

 9.2. Size:246K  inchange semiconductor
tk10e60w.pdf

TK10E80W
TK10E80W

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK10E60WITK10E60WFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.38.Enhancement mode:Vth =2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=0.5mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top