TK12A50W. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: TK12A50W
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для TK12A50W
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
TK12A50W даташит
tk12a50w.pdf
TK12A50W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK12A50W TK12A50W TK12A50W TK12A50W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.265 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E
tk12a50d5.pdf
TK12A50D5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK12A50D5 TK12A50D5 TK12A50D5 TK12A50D5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trrf = 50 ns (typ.), trr = 120 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.5 (typ.) (3) High
tk12a50d.pdf
TK12A50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK12A50D Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.45 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 6.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Abs
Другие MOSFET... IRL40B215 , IRL60B216 , IRL8114 , TK10A50W , TK10A60D5 , TK10A80W , TK10E80W , TK12A50D5 , IRF640 , TK12A80W , TK17A65W , TK17A65W5 , TK17E80W , TK19A50W , TK22A65X5 , TK290A60Y , TK290A65Y .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
p60nf06 | 2sa1837 | ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21



