Справочник MOSFET. TK17E80W

 

TK17E80W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK17E80W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TK17E80W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:418K  toshiba
tk17e80w.pdfpdf_icon

TK17E80W

TK17E80WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK17E80WTK17E80WTK17E80WTK17E80W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.25 (typ.)by using Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhan

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
tk17e80w.pdfpdf_icon

TK17E80W

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK17E80WITK17E80WFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.29.Enhancement mode:Vth =3.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.85mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

 9.1. Size:250K  toshiba
tk17e65w.pdfpdf_icon

TK17E80W

TK17E65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK17E65WTK17E65WTK17E65WTK17E65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.17 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) En

 9.2. Size:246K  inchange semiconductor
tk17e65w.pdfpdf_icon

TK17E80W

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK17E65WITK17E65WFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.2.Enhancement mode:Vth =2.5 to 3.5V (VDS = 10 V, ID=0.9mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: BLV4N60 | VBZA4420 | H50N03J | SWD062R68E7T | GSM2912 | MTD20N03HDLT4G | PJF7NA60

 

 
Back to Top

 


 
.