Справочник MOSFET. HYG067N07NQ1P

 

HYG067N07NQ1P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HYG067N07NQ1P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 233.2 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для HYG067N07NQ1P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG067N07NQ1P Datasheet (PDF)

 2.1. Size:1595K  hymexa
hyg067n07nq1.pdfpdf_icon

HYG067N07NQ1P

HYG067N07NQ1P/B/PSN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 68V/80ARDS(ON)= 6.5m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche TestedSD Reliable and RuggedG Lead-Free and Green Devices AvailableSSDDGG(RoHS Compliant)TO-220FB-3L TO-3PS-3L TO-263-2LApplications Portable equipment and battery powered systems DC-DC Converters Switch

 9.1. Size:1408K  hymexa
hyg065n15ns1p hyg065n15ns1b.pdfpdf_icon

HYG067N07NQ1P

HYG065N15NS1P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 150V/165ARDS(ON)=6.2m(typ.) @ VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Power Switching application Uninterruptible Power SupplyN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPa

 9.2. Size:934K  hymexa
hyg060p04lq1d hyg060p04lq1u hyg060p04lq1v.pdfpdf_icon

HYG067N07NQ1P

HYG060P04LQ1D/U/V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description -40V/-70A RDS(ON)= 5.8 m(typ.) @VGS = -10V RDS(ON)= 8.5 m(typ.) @VGS = -4.5V SD SG D S 100% avalanche tested G S S Reliable and Rugged D G S Halogen Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Switching

 9.3. Size:1248K  hymexa
hyg064n08na1p hyg064n08na1b.pdfpdf_icon

HYG067N07NQ1P

HYG064N08NA1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 80V/120ARDS(ON)= 6.4m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and RuggedSD Lead-Free and Green Devices AvailableGS(RoHS Compliant)DGTO-220FB-3L TO-263-2LApplications Switching application Power management for inverter systemN-Channel MOSFETOrdering and Ma

Другие MOSFET... FS5KM-10A , HY3810P , HY3810M , HY3810B , HY3810PS , HY3810PM , HY3906P , HY3906B , RFP50N06 , HYG067N07NQ1B , HYG067N07NQ1PS , IPP07N03L , IPB07N03L , IPW60R060P7 , SVF4N65T , SVF4N65F , SVF4N65FG .

History: BUK456-60A | FDMA7628 | HY4008W | ME20N03 | TPD60R530M | APT5018BLL | 5N60G-TM3-T

 

 
Back to Top

 


 
.