BSC010NE2LSI - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BSC010NE2LSI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1800 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00105 Ohm
Тип корпуса: PG-TDSON-8
Аналог (замена) для BSC010NE2LSI
BSC010NE2LSI Datasheet (PDF)
bsc010ne2lsi.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM Power-MOSFET, 25 VBSC010NE2LSIData SheetRev. 2.3FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM Power-MOSFET, 25 VBSC010NE2LSISuperSO81 Description5867Features7685 Optimized for high performance Buck converter Monolithic integrated Schottky like diode Very low on-resi
bsc010ne2ls.pdf

BSC010NE2LSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 25 V Optimized for high performance Buck converter RDS(on),max 1.0 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GSID 100 A 100% avalanche testedQOSS 33 nC Superior thermal resistanceQG(0V..10V) 64 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8
bsc010n04ls.pdf

BSC010N04LSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 40 V Optimized for sychronous rectificationRDS(on),max 1.0 mW Very low on-resistance RDS(on)ID 100 A 100% avalanche testedQoss 84 nC Superior thermal resistanceQg(0V..10V) 95 nC N-channel, logic levelPG-TDSON-8 FL Qualified according to JEDEC1) for target applications (enlarg
bsc010n04lst.pdf

BSC010N04LSTMOSFETTDSON-8 FL (enlarged source interconnection)OptiMOSTM Power-MOSFET, 40 V876Features5 Optimized for sychronous rectification 175 C rated1 52 6 Very low on-resistance RDS(on) 734 8 100% avalanche tested Superior thermal resistance4 N-channel, logic level3 Qualified according to JEDEC1) for target applications 2
Другие MOSFET... BSB104N08NP3G , BSB165N15NZ3G , BSB280N15NZ3G , BSC009NE2LS , BSC009NE2LS5 , BSC009NE2LS5I , BSC010N04LS , BSC010N04LSI , K3569 , BSC011N03LSI , BSC014N03LS , BSC014N03MS , BSC014N04LS , BSC014N04LSI , BSC014N06NS , BSC014NE2LSI , BSC016N03LS .
History: IRFU3607
History: IRFU3607



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor | 2sc2705 | bc239 | 2sc3264