BSC0901NSI. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BSC0901NSI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 7.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
Тип корпуса: PG-TDSON-8
Аналог (замена) для BSC0901NSI
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BSC0901NSI даташит
bsc0901nsi.pdf
BSC0901NSI OptiMOSTM Power-MOSFET Product Summary Features VDS 30 V Optimized SyncFET for high performance buck converter RDS(on),max 2 mW Integrated monolithic Schottky-like diode ID 100 A Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS QOSS 28 nC 100% avalanche tested QG(0V..10V) 41 nC Superior thermal resistance N-channel Qualified according to JEDE
bsc0901ns bsc0901ns .pdf
n-Channel Power MOSFET OptiMOS BSC0901NS Data Sheet 2.1, 2011-09-23 Final Industrial & Multimarket OptiMOS Power-MOSFET BSC0901NS 1 Description OptiMOS 30V products are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make OptiMOS
bsc0902ns.pdf
BSC0902NS OptiMOSTM Power-MOSFET Product Summary Features VDS 30 V Optimized for high performance Buck converter RDS(on),max 2.6 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS ID 100 A 100% avalanche tested QOSS 16 nC Superior thermal resistance QG(0V..10V) 26 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8
bsc090n03lsg.pdf
BSC090N03LS G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features VDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPS RDS(on),max 9 mW Optimized technology for DC/DC converters ID 48 A Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) Superio
Другие MOSFET... BSC061N08NS5 , BSC066N06NS , BSC070N10NS5 , BSC072N03LD , BSC072N08NS5 , BSC079N03SG , BSC080N03LS , BSC080N03MS , IRFB7545 , BSC0902NSI , BSC0904NSI , BSC0910NDI , BSC0911ND , BSC0921NDI , BSC0923NDI , BSC0924NDI , BSC0925ND .
History: BSC0805LS | SW4N70B | AOWF14N50
History: BSC0805LS | SW4N70B | AOWF14N50
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet












