BSS119L6327 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BSS119L6327
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.17 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 3.1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 8.6 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
Тип корпуса: SOT-23 SOT-346
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
BSS119L6327 Datasheet (PDF)
bss119l6327.pdf

Rev. 1.5BSS119SIPMOS Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeatureVDS 100 V N-ChannelRDS(on) 6 Enhancement modeID 0.17 A Logic LevelPG-SOT23 dv/dt rated3Drainpin 3Gate Qualified according to AEC Q101pin12Sourcepin 21VPS05161Type Package Pb-free Tape and Reel Information MarkingBSS119 L6433: 10000 pcs/reel sSHPG-SOT23 Yes
bss119.pdf

BSS 119SIPMOS Small-Signal Transistor N channel Enhancement mode VGS(th) = 1.6 ...2.6 VPin 1 Pin 2 Pin 3G S DType VDS ID RDS(on) Package MarkingBSS 119 100 V 0.17 A 6 SOT-23 sSHType Ordering Code Tape and Reel InformationBSS 119 Q67000-S007 E6327Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS 100 VVDrain-gate voltageDGRRGS =
bss119n.pdf

BSS119NOptiMOS Small-Signal-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V N-channelRDS(on),max VGS=10 V 6 W Enhancement modeVGS=4.5 V 10 Logic level (4.5V rated)ID 0.19 A Avalanche rated Qualified according to AEC Q101PG-SOT23 100% lead-free; RoHS compliant; Halogen free3 1 2 Type Package Tape and Reel Information Marking Halogen fre
bss110 1.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSS110P-channel enhancement modevertical D-MOS transistor1995 Apr 07Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips SemiconductorsPhilips Semiconductors Product specificationP-channel enhancement modeBSS110vertical D-MOS transistorFEATURES Low threshold voltage Direct interface to C-MOS, TTL, etc. Hi
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: RW1C020UN | BF964S | IXTY44N10T | BSC032N03SG | 2SK1939 | SSS1004A7 | UTT60N10
History: RW1C020UN | BF964S | IXTY44N10T | BSC032N03SG | 2SK1939 | SSS1004A7 | UTT60N10



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor