BSS119L6327 - описание и поиск аналогов

 

BSS119L6327. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSS119L6327

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 8.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm

Тип корпуса: SOT-23 SOT-346

Аналог (замена) для BSS119L6327

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSS119L6327 даташит

 ..1. Size:87K  infineon
bss119l6327.pdfpdf_icon

BSS119L6327

Rev. 1.5 BSS119 SIPMOS Small-Signal-Transistor Product Summary Feature VDS 100 V N-Channel RDS(on) 6 Enhancement mode ID 0.17 A Logic Level PG-SOT23 dv/dt rated 3 Drain pin 3 Gate Qualified according to AEC Q101 pin1 2 Source pin 2 1 VPS05161 Type Package Pb-free Tape and Reel Information Marking BSS119 L6433 10000 pcs/reel sSH PG-SOT23 Yes

 8.1. Size:90K  infineon
bss119.pdfpdf_icon

BSS119L6327

BSS 119 SIPMOS Small-Signal Transistor N channel Enhancement mode VGS(th) = 1.6 ...2.6 V Pin 1 Pin 2 Pin 3 G S D Type VDS ID RDS(on) Package Marking BSS 119 100 V 0.17 A 6 SOT-23 sSH Type Ordering Code Tape and Reel Information BSS 119 Q67000-S007 E6327 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Drain source voltage VDS 100 V V Drain-gate voltage DGR RGS =

 8.2. Size:619K  infineon
bss119n.pdfpdf_icon

BSS119L6327

BSS119N OptiMOS Small-Signal-Transistor Product Summary Features VDS 100 V N-channel RDS(on),max VGS=10 V 6 W Enhancement mode VGS=4.5 V 10 Logic level (4.5V rated) ID 0.19 A Avalanche rated Qualified according to AEC Q101 PG-SOT23 100% lead-free; RoHS compliant; Halogen free 3 1 2 Type Package Tape and Reel Information Marking Halogen fre

 9.1. Size:76K  philips
bss110 1.pdfpdf_icon

BSS119L6327

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BSS110 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor 1995 Apr 07 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Philips Semiconductors Product specification P-channel enhancement mode BSS110 vertical D-MOS transistor FEATURES Low threshold voltage Direct interface to C-MOS, TTL, etc. Hi

Другие MOSFET... BSP372 , BSP372N , BSP373 , BSP373N , BSP716N , BSP88 , BSP89L6327 , BSR606N , 8N60 , BSS119N , BSS123D87Z , BSS123-7 , BSS123-7-F , BSS123L6327 , BSS123L6433 , BSS123N , BSS123TA .

History: SDF07N80 | BRCS3139ZK | F21F60CPM | IRFI734GPBF | BRCS3134ZK

 

 

 

 

↑ Back to Top
.