M7002NND03 - описание и поиск аналогов

 

M7002NND03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: M7002NND03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.115 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.2 Ohm

Тип корпуса: WBFBP-03B

Аналог (замена) для M7002NND03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

M7002NND03 даташит

 ..1. Size:341K  jiangsu
m7002nnd03.pdfpdf_icon

M7002NND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate MOSFETS D M7002NND03 MOSFET( N-Channel ) WBFBP-03B (1.2 1.2 0.5) TOP DESCRIPTION unit mm High cell density, DMOS technology. These products have been designed to G S minimize on-state resistance while provide rugged, reliable, and fast switching D performance. They can be used i

 8.1. Size:264K  sino
sm7002nsf.pdfpdf_icon

M7002NND03

SM7002NSF N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 68V/80A, RDS(ON)=10.8m (max.) @ VGS=10V Reliable and Rugged S D Lead Free and Green Devices Available G (RoHS Compliant) Top View of TO-220 D Applications Synchronous Rectification. G Power Management in Inverter Systems. S N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package Code SM7002NS

 8.2. Size:227K  sino
sm7002nsan.pdfpdf_icon

M7002NND03

SM7002NSAN N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D 60V/0.45A , RDS(ON)=2.2 (max.) @ VGS=10V S RDS(ON)=2.6 (max.) @ VGS=4.5V G Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available Top View of SOT-23N (RoHS Compliant) D ESD Protection HBM=(+/-)1600V MM=(+/-)100V G Applications High Speed Switching. S Analog Switching Application. N-Chann

 8.3. Size:826K  agertech
atm7002nsa.pdfpdf_icon

M7002NND03

ATM7002NSA N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage 60V Drain Current 340mA Features Trench Power MV MOSFET technology Voltage controlled small signal switch Low input Capacitance Fast Switching Speed Low Input / Output Leakage R

Другие MOSFET... BUZ330 , IRFAC32 , JCS24N50WH , JCS24N50ABH , RU6888R3 , SPP77N06S2-12 , SPB77N06S2-12 , TSA20N50M , 7N65 , M7002TTD03 , MC3406 , MC3541 , MCD04N60 , MCD04N65 , MCD3410 , MS10N60 , MS10N65 .

History: 2SK1566 | LSB60R280HT | 2SK161 | H10N60E | IXFE39N90

 

 

 

 

↑ Back to Top
.