MS18N50 - описание и поиск аналогов

 

MS18N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MS18N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 238 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для MS18N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS18N50 даташит

 ..1. Size:897K  bruckewell
ms18n50.pdfpdf_icon

MS18N50

MS18N50 500V N-channel MOSFET Description The MS18N50 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Originative New Design Very Low Intrinsic

 9.1. Size:1142K  cn hmsemi
hms18n80 hms18n80f.pdfpdf_icon

MS18N50

HMS18N80,HMS18N80F N-Channel Super Junction Power MOSFET II General Description The series of devices use advanced super junction VDS 800 V technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON) TYP. 280 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industry s ID 18 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applicatio

 9.2. Size:1002K  cn hmsemi
hms18n10q.pdfpdf_icon

MS18N50

HMS18N10Q N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HMS18N10Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =100V,ID =18A RDS(ON)

 9.3. Size:1354K  cn hmsemi
hms18n10d.pdfpdf_icon

MS18N50

HMS18N10D N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HMS18N10D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =100V,ID =18A RDS(ON)

Другие MOSFET... MS12N65 , MS13N50 , MS13P21 , MS14N60 , MS14P21 , MS15N50 , MS15N60 , MS17N03Q8 , AON7410 , MS20N04NE , MS20N06 , MS23N22 , MS23N26 , MS23N36 , MS23P01 , MS23P21 , MS23P25 .

History: ELM53406CA | BSL214N | FQAF11N90C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.