Справочник MOSFET. MTC5806V8

 

MTC5806V8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTC5806V8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: DFN3?3
 

 Аналог (замена) для MTC5806V8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTC5806V8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:469K  cystek
 mtc5806v8.pdf pdf_icon

MTC5806V8

Spec. No. : C407V8 Issued Date : 2014.11.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : age No. : 1/13 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTC5806V8 BVDSS 60V -60VID@VGS=10V(-10V), TA=25C 4.3A -3.3AID@VGS=10V(-10V), TC=25C 6.4A -4.6ARDSON@VGS=10V(-10V) typ. 37m 70m RDSON@VGS=4.5V(-4.5V) typ. 42m 93m Features Simple drive require

 7.1. Size:406K  cystek
 mtc5806q8.pdf pdf_icon

MTC5806V8

Spec. No. : C407Q8 Issued Date : 2008.12.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.06.26 Page No. : 1/13 N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N-CH P-CHMTC5806Q8 BVDSS 60V -60VID 4.5A -3.5ARDSON(typ.) @VGS=(-)10V 37m 70m RDSON(typ.) @VGS=(-)4.5V 42m 93m Description The MTC5806Q8 consists of a N-channel and a P-channel enhancement-mode MOSFET in

Другие MOSFET... MSAFZ50N10A , MSB15N60 , MSB22A04Q8 , MSB55N03N3 , MSC22N03 , MSC37N03 , MTC1421G6 , MTC4503LQ8 , IRF640 , MTD10N10ELT4 , MTD120C10J4 , MTD20P03HDLT4 , MTD20P06HDLT4 , MTD2955VT4 , MTD5P06VT4 , MTD5P06VT4G , MTD6N15T4 .

History: SSF60R190SFD | SWF11N65D | WMM18N50C4 | MDP1723 | FDBL86566-F085 | SWD15N65J | WMO07N60C4

 

 
Back to Top

 


 
.