MTM23123 - описание и поиск аналогов

 

MTM23123. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTM23123

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: SOT-346

Аналог (замена) для MTM23123

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTM23123 даташит

 ..1. Size:433K  panasonic
mtm23123.pdfpdf_icon

MTM23123

MTM23123 Silicon P-channel MOSFET For switching Overview Package MTM23123 is P-channel MOS FET for load switch circuits. Code SMini3-G1-B Features Pin Name Low voltage drive (2.5 V, 4 V) 1 Gate Realization of low on-resistance, using extremely fine process 2 Source Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. 3 Drain E

 8.1. Size:434K  panasonic
mtm23110.pdfpdf_icon

MTM23123

MTM23110 Silicon P-channel MOSFET For switching Overview Package MTM23110 is P-channel MOS FET for load switch circuits. Code SMini3-G1-B Features Pin Name Low voltage drive (1.8 V, 2.5 V, 4 V) 1 Gate Realization of low on-resistance, using extremely fine process 2 Source Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. 3

 8.2. Size:320K  jiejie micro
jmtm2310a.pdfpdf_icon

MTM23123

JMTM2310A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V, 3A Load Switch R

 9.1. Size:439K  panasonic
mtm23227.pdfpdf_icon

MTM23123

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). MTM23227 Silicon N-channel MOSFET For switching Overview Package MTM23227 is the l N-channel MOS FET that is highly suitable ofr DC-DC Code converter and other switching circuits. SMini3-G1-B Pin Name Features 1 Gate 2 Source Realization of low on-resistance, using extremely fine process (4.6 mW

Другие MOSFET... MTM15N35 , MTM15N40 , MTM15N40E , MTM15N45 , MTM15N50 , MTM20N15 , MTM20P10 , MTM23110 , STF13NM60N , MTM23223 , MTM232230LBF , MTM23227 , MTM232270LBF , MTM24N45E , MTM24N50 , MTM25N10 , MTM26N40E .

History: HM4853A | F7F60C3M

 

 

 

 

↑ Back to Top
.