Справочник MOSFET. MTN12N30FP

 

MTN12N30FP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTN12N30FP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 46.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.34 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN12N30FP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:463K  cystek
 mtn12n30fp.pdf pdf_icon

MTN12N30FP

Spec. No. : C993FP Issued Date : 2014.12.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 300VMTN12N30FP ID@VGS=10V, TC=25C 12A RDSON(TYP)@ VGS=10V, ID=6A 248m Description The MTN12N30FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized devic

 8.1. Size:453K  cystek
 mtn12n60fp.pdf pdf_icon

MTN12N30FP

Spec. No. : C743FP Issued Date : 2011.05.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.05.15 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS :600V RDS(ON) : 0.6 typ. MTN12N60FP ID : 12A Description The MTN12N60FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-re

 8.2. Size:407K  cystek
 mtn12n65fp.pdf pdf_icon

MTN12N30FP

Spec. No. : C802FP Issued Date : 2010.01.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.01.13 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) : 0.6 (typ.) MTN12N65FP ID : 12A Description The MTN12N65FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on

 8.3. Size:304K  cystek
 mtn12n60e3.pdf pdf_icon

MTN12N30FP

Spec. No. : C743E3 Issued Date : 2009.10.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS :660V @Tj=150C RDS(ON) : 0.65 MTN12N60E3 ID : 12A Description The MTN12N60E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resist

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: ZXMN0545G4 | SE4060 | IPA600N25NM3S

 

 
Back to Top

 


 
.