MTN12N30FP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTN12N30FP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 46.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.34 Ohm
Тип корпуса: TO-220FP
Аналог (замена) для MTN12N30FP
MTN12N30FP Datasheet (PDF)
mtn12n30fp.pdf
Spec. No. : C993FP Issued Date : 2014.12.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 300VMTN12N30FP ID@VGS=10V, TC=25C 12A RDSON(TYP)@ VGS=10V, ID=6A 248m Description The MTN12N30FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized devic
mtn12n60fp.pdf
Spec. No. : C743FP Issued Date : 2011.05.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.05.15 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS :600V RDS(ON) : 0.6 typ. MTN12N60FP ID : 12A Description The MTN12N60FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-re
mtn12n65fp.pdf
Spec. No. : C802FP Issued Date : 2010.01.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.01.13 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) : 0.6 (typ.) MTN12N65FP ID : 12A Description The MTN12N65FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on
mtn12n60e3.pdf
Spec. No. : C743E3 Issued Date : 2009.10.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS :660V @Tj=150C RDS(ON) : 0.65 MTN12N60E3 ID : 12A Description The MTN12N60E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resist
mtn12n60bfp.pdf
Spec. No. : C164FP Issued Date : 2015.03.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS :600V RDS(ON) : 0.46 typ. MTN12N60BFP ID : 12A Description The MTN12N60BFP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistanc
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918