MTP10N10ELG - описание и поиск аналогов

 

MTP10N10ELG - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MTP10N10ELG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для MTP10N10ELG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP10N10ELG технические параметры

 ..1. Size:102K  onsemi
mtp10n10el mtp10n10elg.pdfpdf_icon

MTP10N10ELG

MTP10N10EL Preferred Device Power MOSFET 10 A, 100 V, Logic Level, N-Channel TO-220 This Power MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The energy efficient design also offers a drain-to-source diode with a fast recovery time. Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, http //onsemi.com converters and PWM mo

 4.1. Size:221K  motorola
mtp10n10el.pdfpdf_icon

MTP10N10ELG

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP10N10EL/D Designer's Data Sheet MTP10N10EL Logic Level TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced TMOS power FET is designed to withstand high 10 AMPERES energy in the avalanche and commutation modes. This new energy

 5.1. Size:237K  motorola
mtp10n10erev0x.pdfpdf_icon

MTP10N10ELG

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP10N10E/D Designer's Data Sheet MTP10N10E TMOS IV Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FETs This advanced E series of TMOS power MOSFETs is designed 10 AMPERES to withstand high energy in the avalanche and commutation 100 VOLTS modes. These new energy efficient d

 5.2. Size:203K  motorola
mtp10n10e.pdfpdf_icon

MTP10N10ELG

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP10N10E/D Designer's Data Sheet MTP10N10E TMOS IV Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FETs This advanced E series of TMOS power MOSFETs is designed 10 AMPERES to withstand high energy in the avalanche and commutation 100 VOLTS modes. These new energy efficient d

Другие MOSFET... MTN1N60L3 , MTN2300AN3 , MTN4N65F3 , MTN8N65FI , MTN9N50FP , MTP10N08 , MTP10N10 , MTP10N10E , AO3401 , MTP10N25 , MTP10N35 , MTP10N40 , MTP10N40E , MTP12N08L , RFH10N45 , RFH10N50 , SMD15N05 .

History: F8N65

 

 
Back to Top

 


 
.