MTP10N10ELG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MTP10N10ELG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MTP10N10ELG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP10N10ELG даташит

 ..1. Size:102K  onsemi
 mtp10n10el mtp10n10elg.pdf pdf_icon

MTP10N10ELG

MTP10N10EL Preferred Device Power MOSFET 10 A, 100 V, Logic Level, N-Channel TO-220 This Power MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The energy efficient design also offers a drain-to-source diode with a fast recovery time. Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, http //onsemi.com converters and PWM mo

 4.1. Size:221K  motorola
 mtp10n10el.pdf pdf_icon

MTP10N10ELG

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP10N10EL/D Designer's Data Sheet MTP10N10EL Logic Level TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced TMOS power FET is designed to withstand high 10 AMPERES energy in the avalanche and commutation modes. This new energy

 5.1. Size:237K  motorola
 mtp10n10erev0x.pdf pdf_icon

MTP10N10ELG

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP10N10E/D Designer's Data Sheet MTP10N10E TMOS IV Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FETs This advanced E series of TMOS power MOSFETs is designed 10 AMPERES to withstand high energy in the avalanche and commutation 100 VOLTS modes. These new energy efficient d

 5.2. Size:203K  motorola
 mtp10n10e.pdf pdf_icon

MTP10N10ELG

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP10N10E/D Designer's Data Sheet MTP10N10E TMOS IV Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FETs This advanced E series of TMOS power MOSFETs is designed 10 AMPERES to withstand high energy in the avalanche and commutation 100 VOLTS modes. These new energy efficient d

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTN1N60L3, MTN2300AN3, MTN4N65F3, MTN8N65FI, MTN9N50FP, MTP10N08, MTP10N10, MTP10N10E, BS170, MTP10N25, MTP10N35, MTP10N40, MTP10N40E, MTP12N08L, RFH10N45, RFH10N50, SMD15N05