MTP12N08L - описание и поиск аналогов

 

MTP12N08L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTP12N08L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для MTP12N08L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP12N08L даташит

 ..1. Size:107K  njs
mtp12n08l mtp12n10l.pdfpdf_icon

MTP12N08L

 7.1. Size:222K  motorola
mtp12n06ez.pdfpdf_icon

MTP12N08L

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP12N06EZL/D Designer's Data Sheet MTP12N06EZL TMOS E-FET. High Energy Power FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced TMOS power FET is designed to withstand high 12 AMPERES energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high 60 VOLTS energy device also offers a g

 7.2. Size:194K  motorola
mtp12n06ezl.pdfpdf_icon

MTP12N08L

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP12N06EZL/D Designer's Data Sheet MTP12N06EZL TMOS E-FET. High Energy Power FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced TMOS power FET is designed to withstand high 12 AMPERES energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high 60 VOLTS energy device also offers a g

Другие MOSFET... MTP10N08 , MTP10N10 , MTP10N10E , MTP10N10ELG , MTP10N25 , MTP10N35 , MTP10N40 , MTP10N40E , SKD502T , RFH10N45 , RFH10N50 , SMD15N05 , SMU15N05 , MTP12N10E , MTP12N10L , MTP12N18 , MTP12N20 .

History: AOT15S60L | GMS2302

 

 

 

 

↑ Back to Top
.