MTP2955V - описание и поиск аналогов

 

MTP2955V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTP2955V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для MTP2955V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP2955V даташит

 ..1. Size:121K  motorola
mtp2955v.pdfpdf_icon

MTP2955V

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP2955V/D Designer's Data Sheet MTP2955V TMOS V Power Field Effect Transistor P Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET TMOS V is a new technology designed to achieve an on resis- 12 AMPERES tance area product about one half that of standard MOSFETs. This 60 VOLTS new technology more than do

 ..2. Size:205K  onsemi
mtp2955v.pdfpdf_icon

MTP2955V

MTP2955V Preferred Device Power MOSFET 12 Amps, 60 Volts P-Channel TO-220 This Power MOSFET is designed to withstand high energy in the http //onsemi.com avalanche and commutation modes. Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power 12 AMPERES, 60 VOLTS motor controls, these devices are particularly well suited for bridge RDS(on)

 0.1. Size:116K  motorola
mtp2955vrev3.pdfpdf_icon

MTP2955V

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP2955V/D Designer's Data Sheet MTP2955V TMOS V Power Field Effect Transistor P Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET TMOS V is a new technology designed to achieve an on resis- 12 AMPERES tance area product about one half that of standard MOSFETs. This 60 VOLTS new technology more than do

 7.1. Size:179K  motorola
mtp2955e.pdfpdf_icon

MTP2955V

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP2955E/D Designer's Data Sheet MTP2955E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor P Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced TMOS E FET is designed to withstand high 12 AMPERES energy in the avalanche and commutation modes. The new energy 60 VOLTS efficie

Другие MOSFET... MTP20N10E , MTP20N15EG , MTP20N20E , MTP20P06 , MTP23P06V , MTP23P06VG , MTP25N05E , MTP2955 , 2N60 , MTP2N18 , MTP2N20 , MTP2N35 , MTP2N40 , MTP2N40E , MTP2N45 , MTP2N50E , MTP2N55 .

History: MTP2N35 | MTP20N15EG | SVT068R5NSTR | STH410N4F7-2AG | H05N60E

 

 

 

 

↑ Back to Top
.