Справочник MOSFET. MTP2955V

 

MTP2955V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTP2955V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для MTP2955V

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP2955V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:121K  motorola
mtp2955v.pdfpdf_icon

MTP2955V

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP2955V/DDesigner's Data SheetMTP2955VTMOS VPower Field Effect TransistorPChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETTMOS V is a new technology designed to achieve an onresis-12 AMPEREStance area product about onehalf that of standard MOSFETs. This60 VOLTSnew technology more than do

 ..2. Size:205K  onsemi
mtp2955v.pdfpdf_icon

MTP2955V

MTP2955VPreferred DevicePower MOSFET12 Amps, 60 VoltsP-Channel TO-220This Power MOSFET is designed to withstand high energy in thehttp://onsemi.comavalanche and commutation modes. Designed for low voltage, highspeed switching applications in power supplies, converters and power12 AMPERES, 60 VOLTSmotor controls, these devices are particularly well suited for bridgeRDS(on)

 0.1. Size:116K  motorola
mtp2955vrev3.pdfpdf_icon

MTP2955V

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP2955V/DDesigner's Data SheetMTP2955VTMOS VPower Field Effect TransistorPChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETTMOS V is a new technology designed to achieve an onresis-12 AMPEREStance area product about onehalf that of standard MOSFETs. This60 VOLTSnew technology more than do

 7.1. Size:179K  motorola
mtp2955e.pdfpdf_icon

MTP2955V

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP2955E/DDesigner's Data SheetMTP2955ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorPChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS EFET is designed to withstand high12 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. The new energy60 VOLTSefficie

Другие MOSFET... MTP20N10E , MTP20N15EG , MTP20N20E , MTP20P06 , MTP23P06V , MTP23P06VG , MTP25N05E , MTP2955 , IRF830 , MTP2N18 , MTP2N20 , MTP2N35 , MTP2N40 , MTP2N40E , MTP2N45 , MTP2N50E , MTP2N55 .

History: NVTFS5C670NL | 2SK1142 | IRFI4228

 

 
Back to Top

 


 
.