MTP2955V. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MTP2955V
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для MTP2955V
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
MTP2955V даташит
mtp2955v.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP2955V/D Designer's Data Sheet MTP2955V TMOS V Power Field Effect Transistor P Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET TMOS V is a new technology designed to achieve an on resis- 12 AMPERES tance area product about one half that of standard MOSFETs. This 60 VOLTS new technology more than do
mtp2955v.pdf
MTP2955V Preferred Device Power MOSFET 12 Amps, 60 Volts P-Channel TO-220 This Power MOSFET is designed to withstand high energy in the http //onsemi.com avalanche and commutation modes. Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power 12 AMPERES, 60 VOLTS motor controls, these devices are particularly well suited for bridge RDS(on)
mtp2955vrev3.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP2955V/D Designer's Data Sheet MTP2955V TMOS V Power Field Effect Transistor P Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET TMOS V is a new technology designed to achieve an on resis- 12 AMPERES tance area product about one half that of standard MOSFETs. This 60 VOLTS new technology more than do
mtp2955e.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP2955E/D Designer's Data Sheet MTP2955E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor P Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced TMOS E FET is designed to withstand high 12 AMPERES energy in the avalanche and commutation modes. The new energy 60 VOLTS efficie
Другие MOSFET... MTP20N10E , MTP20N15EG , MTP20N20E , MTP20P06 , MTP23P06V , MTP23P06VG , MTP25N05E , MTP2955 , 2N60 , MTP2N18 , MTP2N20 , MTP2N35 , MTP2N40 , MTP2N40E , MTP2N45 , MTP2N50E , MTP2N55 .
History: MTP2N35 | MTP20N15EG | SVT068R5NSTR | STH410N4F7-2AG | H05N60E
History: MTP2N35 | MTP20N15EG | SVT068R5NSTR | STH410N4F7-2AG | H05N60E
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
ptp03n04n | sm4377 mosfet datasheet | tip31c reemplazo | 2sa906 | c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor







