MTP2P50EG - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

MTP2P50EG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: MTP2P50EG
   Маркировка: MTP2P50E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для MTP2P50EG

MTP2P50EG Datasheet (PDF)

..1. Size:184K onsemi
mtp2p50eg.pdf

MTP2P50EPower MOSFET2 Amps, 500 VoltsP-Channel TO-220This high voltage MOSFET uses an advanced termination schemeto provide enhanced voltage-blocking capability without degradingperformance over time. In addition, this Power MOSFET is designed http://onsemi.comto withstand high energy in the avalanche and commutation modes.The energy efficient design also offers a drain-to-sourc

6.1. Size:198K motorola
mtp2p50e.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP2P50E/DDesigner's Data SheetMTP2P50ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorPChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination2.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without500 VOLTSdegra

6.2. Size:230K motorola
mtp2p50erev1x.pdf