MTP3N120E - описание и поиск аналогов

 

MTP3N120E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTP3N120E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для MTP3N120E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP3N120E даташит

 ..1. Size:217K  motorola
 mtp3n120e.pdf pdf_icon

MTP3N120E

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP3N120E/D Designer's Data Sheet MTP3N120E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced high voltage TMOS E FET is designed to 3.0 AMPERES withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. 1200 VOLTS

 ..2. Size:176K  onsemi
 mtp3n120e.pdf pdf_icon

MTP3N120E

MTP3N120E Designer s Data Sheet TMOS E-FET. Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Silicon http //onsemi.com Gate This advanced high-voltage TMOS E-FET is designed to withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode with fast TO-220AB recovery time. Designed for high voltage, hi

 0.1. Size:252K  motorola
 mtp3n120e-.pdf pdf_icon

MTP3N120E

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP3N120E/D Designer's Data Sheet MTP3N120E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced high voltage TMOS E FET is designed to 3.0 AMPERES withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. 1200 VOLTS

 8.1. Size:179K  motorola
 mtp3n100e.pdf pdf_icon

MTP3N120E

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP3N100E/D Designer's Data Sheet MTP3N100E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This high voltage MOSFET uses an advanced termination 3.0 AMPERES scheme to provide enhanced voltage blocking capability without 1000 VOLTS de

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTP2N90 , MTP2P45 , MTP2P50 , MTP2P50EG , MTP3055V , MTP30P06V , MTP36N06V , MTP3N100 , AO4407A , MTP3N35 , MTP3N40 , MTP3N55 , MTP3N75 , MTP3N80 , MTP3N95 , MTP3P25 , MTP4N08 .

History: MTE050N15BRV8 | SIHP120N60E | LSE55R140GT

 

 

 

 

↑ Back to Top
.