Справочник MOSFET. MTP4N85

 

MTP4N85 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTP4N85
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 850 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP4N85 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:245K  motorola
mtp4n80e.pdfpdf_icon

MTP4N85

MTP4N80 PCB24MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP4N80E/DDesigner's Data SheetMTP4N80ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination4.0 AMPERESs

 8.2. Size:159K  motorola
mtp4n80erev5.pdfpdf_icon

MTP4N85

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP4N80E/DDesigner's Data SheetMTP4N80ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination4.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without800 VOLTSdegra

 9.1. Size:254K  motorola
mtp4n50erev1a.pdfpdf_icon

MTP4N85

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP4N50E/DDesigner's Data SheetMTP4N50ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced high voltage TMOS EFET is designed to4.0 AMPERESwithstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently.500 VOLTSThis new

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: DMN3052LSS | FHF630A | SRT08N025HT

 

 
Back to Top

 


 
.