Справочник MOSFET. 2SK752

 

2SK752 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK752
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 160 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK752 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  inchange semiconductor
 2sk752.pdf pdf_icon

2SK752

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK752DESCRIPTIONDrain Current I = 3A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 160V(Min)DSS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh speed power switching applicationssuch as switching regulators, converters,relay drivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

 9.1. Size:33K  panasonic
 2sk758.pdf pdf_icon

2SK752

Power F-MOS FETs 2SK7582SK758Silicon N-Channel Power F-MOSUnit : mm Features10.0 0.2 4.2 0.2Low ON-resistance RDS(on) : RDS(on) = 0.45(typ) 5.5 0.2 2.7 0.2High-speed switching : tf = 45ns(typ)No secondary breakdown3.1 0.1 ApplicationsDC-DC converter1.3 0.2 1.4 0.1Non-contact relaySolenoid drive+0.20.5 -0.10.8 0.1Motor drive2.54 0.25

 9.2. Size:233K  inchange semiconductor
 2sk753.pdf pdf_icon

2SK752

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK753DESCRIPTIONDrain Current I =5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 160V(Min)DSS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage (V =0) 160

 9.3. Size:232K  inchange semiconductor
 2sk757.pdf pdf_icon

2SK752

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK757DESCRIPTIONDrain Current I =10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 200V(Min)DSS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage (V =0) 20

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.