Справочник MOSFET. GP1M011A050XX

 

GP1M011A050XX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GP1M011A050XX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.67 Ohm
   Тип корпуса: TO-220 TO-220F
 

 Аналог (замена) для GP1M011A050XX

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP1M011A050XX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:395K  globalpower
gp1m011a050xx.pdfpdf_icon

GP1M011A050XX

GP1M011A050HGP1M011A050FHVDSS = 550 V @TjmaxFeaturesID = 11A Low gate chargeRDS(ON) = 0.67 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery DGSDevice Package Marking RemarkGP1M011A050H TO-220 GP1M011A050H RoHSGP1M011A050FH TO-220F GP1M011A0

 0.1. Size:395K  globalpower
gp1m011a050xxx.pdfpdf_icon

GP1M011A050XX

GP1M011A050HSGP1M011A050FSHVDSS = 550 V @TjmaxFeaturesID = 10A Low gate chargeRDS(ON) = 0.7 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery DGSDevice Package Marking RemarkGP1M011A050HS TO-220 GP1M011A050HS RoHS/Fast DiodeGP1M011A050FSH TO

 8.1. Size:389K  globalpower
gp1m013a050xx.pdfpdf_icon

GP1M011A050XX

GP1M013A050HGP1M013A050FHVDSS = 550 V @TjmaxFeaturesID = 13A Low gate chargeRDS(on) = 0.48 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationDGSDevice Package Marking RemarkGP1M013A050H TO-220 GP1M013A050H RoHSGP1M013A050FH TO-220F GP1M013A050FH Halogen FreeAbsolute

 8.2. Size:370K  globalpower
gp1m018a020xx.pdfpdf_icon

GP1M011A050XX

GP1M018A020HG(H)GP1M018A020FG(H)N-channel MOSFETFeatures Low gate chargeBVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested200V 18A

Другие MOSFET... GP1M009A050XXX , GP1M009A060XX , GP1M009A070X , GP1M009A090N , GP1M009A090XX , GP1M010A060XX , GP1M010A080N , GP1M010A080XX , IRFP460 , GP1M011A050XXX , GP1M012A060XX , GP1M013A050XX , GP1M015A050XX , GP1M016A025XG , GP1M016A025XX , GP1M016A060N , GP1M016A060XX .

History: LNTR4003NLT1G | SSM6P15FU | STD100N03LT4 | IXTK120N25P | STW75N60M6 | HGP059N08A | SWN7N65K2

 

 
Back to Top

 


 
.