GP1M011A050XX datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GP1M011A050XX

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.67 Ohm

Тип корпуса: TO-220 TO-220F

Аналог (замена) для GP1M011A050XX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP1M011A050XX даташит

 ..1. Size:395K  globalpower
 gp1m011a050xx.pdf pdf_icon

GP1M011A050XX

GP1M011A050H GP1M011A050FH VDSS = 550 V @Tjmax Features ID = 11A Low gate charge RDS(ON) = 0.67 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery D G S Device Package Marking Remark GP1M011A050H TO-220 GP1M011A050H RoHS GP1M011A050FH TO-220F GP1M011A0

 0.1. Size:395K  globalpower
 gp1m011a050xxx.pdf pdf_icon

GP1M011A050XX

GP1M011A050HS GP1M011A050FSH VDSS = 550 V @Tjmax Features ID = 10A Low gate charge RDS(ON) = 0.7 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery D G S Device Package Marking Remark GP1M011A050HS TO-220 GP1M011A050HS RoHS/Fast Diode GP1M011A050FSH TO

 8.1. Size:389K  globalpower
 gp1m013a050xx.pdf pdf_icon

GP1M011A050XX

GP1M013A050H GP1M013A050FH VDSS = 550 V @Tjmax Features ID = 13A Low gate charge RDS(on) = 0.48 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark GP1M013A050H TO-220 GP1M013A050H RoHS GP1M013A050FH TO-220F GP1M013A050FH Halogen Free Absolute

 8.2. Size:370K  globalpower
 gp1m018a020xx.pdf pdf_icon

GP1M011A050XX

GP1M018A020HG(H) GP1M018A020FG(H) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 200V 18A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GP1M009A050XXX, GP1M009A060XX, GP1M009A070X, GP1M009A090N, GP1M009A090XX, GP1M010A060XX, GP1M010A080N, GP1M010A080XX, IRF640, GP1M011A050XXX, GP1M012A060XX, GP1M013A050XX, GP1M015A050XX, GP1M016A025XG, GP1M016A025XX, GP1M016A060N, GP1M016A060XX