Справочник MOSFET. GSM1013E

 

GSM1013E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM1013E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: SOT-523
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM1013E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:621K  globaltech semi
 gsm1013e.pdf pdf_icon

GSM1013E

GSM1013E 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features -20V/-0.6A,RDS(ON)=800m@VGS=-4.5V GSM1013E, P-Channel enhancement mode -20V/-0.5A,RDS(ON)=950m@VGS=-2.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-0.4A,RDS(ON)=1250m@VGS=-1.8V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Low Offset (Error) Voltage Low-Voltage OperationThese devi

 7.1. Size:1012K  globaltech semi
 gsm1013.pdf pdf_icon

GSM1013E

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1013, P-Channel enhancement mode -20V/-0.6A,RDS(ON)=620m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-0.5A,RDS(ON)=860m@VGS=-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.4A,RDS(ON)=1450m@VGS=-1.8V Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly suited for low Low-V

 8.1. Size:995K  globaltech semi
 gsm1012e.pdf pdf_icon

GSM1013E

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1012E, N-Channel enhancement mode 20V/0.6A,RDS(ON)=360m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/0.5A,RDS(ON)=420m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. These 20V/0.4A,RDS(ON)=560m@VGS=1.8V devices are particularly suited for low voltage Low Offset (Error) Voltage power

 8.2. Size:987K  globaltech semi
 gsm1012.pdf pdf_icon

GSM1013E

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1012, N-Channel enhancement mode 20V/0.6A,RDS(ON)=360m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/0.5A,RDS(ON)=420m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/0.4A,RDS(ON)=560m@VGS=1.8V Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly suited for low Low-Voltage Operation

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRFP9142 | AP06P20GJ-HF | CS6N70U | SM180R65CT8TL | HAT2143H | GSM3981 | WMP07N65C2

 

 
Back to Top

 


 
.