GSM1072E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM1072E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm

Тип корпуса: SOT-723

Аналог (замена) для GSM1072E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM1072E даташит

 ..1. Size:515K  globaltech semi
 gsm1072e.pdf pdf_icon

GSM1072E

GSM1072E 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1072E, N-Channel enhancement mode 20V/0.8A,RDS(ON)=360m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/0.7A,RDS(ON)=420m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/0.6A,RDS(ON)=560m @VGS=1.8V Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly suited for lo

 7.1. Size:1003K  globaltech semi
 gsm1072.pdf pdf_icon

GSM1072E

GSM1072 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1072, N-Channel enhancement mode 20V/0.8A,RDS(ON)=360m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/0.7A,RDS(ON)=420m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/0.6A,RDS(ON)=560m @VGS=1.8V Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly suited for low

 8.1. Size:625K  globaltech semi
 gsm1073e.pdf pdf_icon

GSM1072E

GSM1073E 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1073E, P-Channel enhancement mode -20V/-0.6A,RDS(ON)=800m @VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-0.5A,RDS(ON)=950m @VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.4A,RDS(ON)=1250m @VGS=-1.8V Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly sui

 8.2. Size:957K  globaltech semi
 gsm1073.pdf pdf_icon

GSM1072E

GSM1073 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1073, P-Channel enhancement mode -20V/-0.45A,RDS(ON)=620m @VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-0.35A,RDS(ON)=860m @VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.25A,RDS(ON)=1450m @VGS=-1.8V Low Offset (Error) Voltage These devices are part

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GSM1016, GSM1023, GSM1024, GSM1024E, GSM1026S, GSM1032, GSM1034, GSM1072, IRF2807, GSM1073, GSM1073E, GSM1303, GSM1304, GSM1304E, GSM1306, GSM1330S, GSM1413