Справочник MOSFET. GSM1330S

 

GSM1330S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM1330S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.115 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-323
 

 Аналог (замена) для GSM1330S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM1330S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:540K  globaltech semi
 gsm1330s.pdf pdf_icon

GSM1330S

GSM1330S 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1330S, N-Channel enhancement mode 60V/0.5A , RDS(ON)= 7.5@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/0.05A , RDS(ON)= 7.5@VGS=5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for

 9.1. Size:934K  globaltech semi
 gsm1304.pdf pdf_icon

GSM1330S

GSM1304 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1304, N-Channel enhancement mode 20V/1.8A , RDS(ON)= 280m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/1.5A , RDS(ON)= 340m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.2A , RDS(ON)= 680m@VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These device

 9.2. Size:936K  globaltech semi
 gsm1304e.pdf pdf_icon

GSM1330S

GSM1304E 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1304E, N-Channel enhancement mode 20V/1.8A , RDS(ON)= 320m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/1.5A , RDS(ON)= 450m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.2A , RDS(ON)= 580m@VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devi

 9.3. Size:1193K  globaltech semi
 gsm1306.pdf pdf_icon

GSM1330S

GSM1306 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1306, N-Channel enhancement mode 30V/1.5A , RDS(ON)= 430m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/1.2A , RDS(ON)= 580m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/0.6A , RDS(ON)= 860m@VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These device

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GSM1072 , GSM1072E , GSM1073 , GSM1073E , GSM1303 , GSM1304 , GSM1304E , GSM1306 , RU6888R , GSM1413 , GSM1433 , GSM1443 , GSM1563 , GSM1810 , GSM1912 , GSM1913 , GSM2014 .

History: AP9950AGH-HF | STR2P3LLH6 | TTD30P03AT | JMSH1565AGS | IMW120R045M1 | IAUS180N04S4N015 | NCEP016N60VD

 

 
Back to Top

 


 
.