GSM2301AS - аналоги и даташиты транзистора

 

GSM2301AS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: GSM2301AS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 223 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для GSM2301AS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM2301AS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:877K  globaltech semi
 gsm2301as.pdf pdf_icon

GSM2301AS

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2301AS, P-Channel enhancement mode -20V/-2.4A,RDS(ON)=125m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-2.0A,RDS(ON)=170m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low voltage

 6.1. Size:816K  globaltech semi
 gsm2301a.pdf pdf_icon

GSM2301AS

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features -20V/-2.6A,RDS(ON)=120m@VGS=-4.5V GSM2301A, P-Channel enhancement mode -20V/-2.2A,RDS(ON)=170m@VGS=-2.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to Super high density cell design for extremely provide excellent RDS(ON), low gate charge. low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 7.1. Size:827K  globaltech semi
 gsm2301s.pdf pdf_icon

GSM2301AS

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2301S, P-Channel enhancement mode -20V/-2.8A,RDS(ON)=120m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-2.0A,RDS(ON)=170m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for These devices are particularly suited for low extremely low RDS (ON) volt

 7.2. Size:477K  globaltech semi
 gsm2301.pdf pdf_icon

GSM2301AS

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2301, P-Channel enhancement mode -20V/-3.0A,RDS(ON)=105m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-2.4A,RDS(ON)=155m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) volta

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GSM1443 , GSM1563 , GSM1810 , GSM1912 , GSM1913 , GSM2014 , GSM2301 , GSM2301A , AON7403 , GSM2301S , GSM2302AS , GSM2302S , GSM2303 , GSM2303A , GSM2304 , GSM2304A , GSM2304AS .

History: FQB5N60CTM_WS

 

 
Back to Top

 


 
.