GSM2304A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM2304A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.082 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для GSM2304A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM2304A даташит

 ..1. Size:758K  globaltech semi
 gsm2304a.pdf pdf_icon

GSM2304A

GSM2304A 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2304A, N-Channel enhancement mode 30V/2.6A,RDS(ON)=82m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/2.0A,RDS(ON)=108m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low Exce

 0.1. Size:747K  globaltech semi
 gsm2304as.pdf pdf_icon

GSM2304A

GSM2304AS 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2304AS, N-Channel enhancement mode 30V/2.4A,RDS(ON)=65m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/2.0A,RDS(ON)=90m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low SOT-2

 7.1. Size:963K  globaltech semi
 gsm2304.pdf pdf_icon

GSM2304A

GSM2304 GSM2304 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2304, N-Channel enhancement mode 30V/3.6A,RDS(ON)=78m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/2.8A,RDS(ON)=105m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 7.2. Size:754K  globaltech semi
 gsm2304s.pdf pdf_icon

GSM2304A

GSM2304S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2304S, N-Channel enhancement mode 30V/3.6A,RDS(ON)=60m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/2.5A,RDS(ON)=85m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON) ,low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (O

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GSM2301A, GSM2301AS, GSM2301S, GSM2302AS, GSM2302S, GSM2303, GSM2303A, GSM2304, 60N06, GSM2304AS, GSM2304S, GSM2306A, GSM2306AE, GSM2307A, GSM2308, GSM2308A, GSM2309