Справочник MOSFET. GSM3400A

 

GSM3400A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM3400A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для GSM3400A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM3400A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:922K  globaltech semi
 gsm3400a.pdf pdf_icon

GSM3400A

GSM3400A 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3400A, N-Channel enhancement mode 30V/2.4A,RDS(ON)=54m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/1.8A,RDS(ON)=58m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/1.5A,RDS(ON)=65m@VGS=2.5V Super high density cell design for These devices are particularly suited for lo

 0.1. Size:452K  globaltech semi
 gsm3400as.pdf pdf_icon

GSM3400A

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3400AS, N-Channel enhancement mode 30V/2.8A,RDS(ON)=50m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/2.5A,RDS(ON)=55m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/2.2A,RDS(ON)=75m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low Super high density cell design for

 7.1. Size:891K  globaltech semi
 gsm3400.pdf pdf_icon

GSM3400A

GSM3400 GSM3400 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3400, N-Channel enhancement mode 30V/4.0A,RDS(ON)=48m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench 30V/3.5A,RDS(ON)=52m@VGS=4.5V Technology to provide excellent RDS(ON), low 30V/2.8A,RDS(ON)=58m@VGS=2.5V gate charge. These devices are particularly Super high density cell des

 7.2. Size:921K  globaltech semi
 gsm3400s.pdf pdf_icon

GSM3400A

GSM3400S GSM3400S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features 30V/4.0A,RDS(ON)=42m@VGS=10V GSM3400S, N-Channel enhancement mode 30V/3.0A,RDS(ON)=44m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/2.6A,RDS(ON)=50m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) The

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GSM3306WS , GSM3309WS , GSM3310W , GSM3316W , GSM3326WS , GSM3346W , GSM3366W , GSM3400 , IRFP450 , GSM3400AS , GSM3400S , GSM3401AS , GSM3401S , GSM3402 , GSM3402A , GSM3403 , GSM3403A .

 

 
Back to Top

 


 
.