GSM3481S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM3481S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.062 Ohm

Тип корпуса: TSOT-23-6

Аналог (замена) для GSM3481S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM3481S даташит

 ..1. Size:880K  globaltech semi
 gsm3481s.pdf pdf_icon

GSM3481S

GSM3481S 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3481S, P-Channel enhancement mode -30V/-5.4A,RDS(ON)=62m @VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-4.2A,RDS(ON)=90m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON) ,low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suit

 8.1. Size:939K  globaltech semi
 gsm3484s.pdf pdf_icon

GSM3481S

GSM3484S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3484S, N-Channel enhancement mode 30V/30A,RDS(ON)=13m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/18A,RDS(ON)=18m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 8.2. Size:907K  globaltech semi
 gsm3485.pdf pdf_icon

GSM3481S

GSM3485 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3485, P-Channel enhancement mode -30V/-12A,RDS(ON)=28m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-10A,RDS(ON)=37m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 8.3. Size:872K  globaltech semi
 gsm3484.pdf pdf_icon

GSM3481S

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3484, N-Channel enhancement mode 30V/12A,RDS(ON)=15m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/10A,RDS(ON)=18m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage power ma

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GSM3454, GSM3456, GSM3456S, GSM3458, GSM3458BW, GSM3459, GSM3460, GSM3466, AO4407A, GSM3484, GSM3484S, GSM3485, GSM3497, GSM3679S, GSM3804, GSM3806W, GSM3814W