GSM3481S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: GSM3481S
Маркировка: 1S*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
trⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.062 Ohm
Тип корпуса: TSOT-23-6
GSM3481S Datasheet (PDF)
gsm3481s.pdf
GSM3481S 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3481S, P-Channel enhancement mode -30V/-5.4A,RDS(ON)=62m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-4.2A,RDS(ON)=90m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON) ,low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suit
gsm3484s.pdf
GSM3484S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3484S, N-Channel enhancement mode 30V/30A,RDS(ON)=13m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/18A,RDS(ON)=18m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low
gsm3485.pdf
GSM3485 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3485, P-Channel enhancement mode -30V/-12A,RDS(ON)=28m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-10A,RDS(ON)=37m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low
gsm3484.pdf
30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3484, N-Channel enhancement mode 30V/12A,RDS(ON)=15m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/10A,RDS(ON)=18m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage power ma
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100