Справочник MOSFET. GSM3484S

 

GSM3484S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: GSM3484S
   Маркировка: 3484S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO-252-2L

 Аналог (замена) для GSM3484S

 

 

GSM3484S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:939K  globaltech semi
 gsm3484s.pdf

GSM3484S GSM3484S

GSM3484S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3484S, N-Channel enhancement mode 30V/30A,RDS(ON)=13m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/18A,RDS(ON)=18m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 7.1. Size:872K  globaltech semi
 gsm3484.pdf

GSM3484S GSM3484S

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3484, N-Channel enhancement mode 30V/12A,RDS(ON)=15m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/10A,RDS(ON)=18m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage power ma

 8.1. Size:907K  globaltech semi
 gsm3485.pdf

GSM3484S GSM3484S

GSM3485 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3485, P-Channel enhancement mode -30V/-12A,RDS(ON)=28m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-10A,RDS(ON)=37m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 8.2. Size:880K  globaltech semi
 gsm3481s.pdf

GSM3484S GSM3484S

GSM3481S 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3481S, P-Channel enhancement mode -30V/-5.4A,RDS(ON)=62m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-4.2A,RDS(ON)=90m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON) ,low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suit

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top