Справочник MOSFET. MTB36N06V

 

MTB36N06V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTB36N06V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 138 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 337 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для MTB36N06V

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB36N06V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  motorola
 mtb36n06v.pdf pdf_icon

MTB36N06V

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB36N06V/DDesigner's Data SheetMTB36N06VTMOS VMotorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 32 AMPERES60 VOLTSTMOS V is a new technology designed to achieve an onresistanceRDS(on) = 0.04 OHMarea product about o

 0.1. Size:241K  motorola
 mtb36n06vrev2x.pdf pdf_icon

MTB36N06V

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB36N06V/DDesigner's Data SheetMTB36N06VTMOS VMotorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 32 AMPERES60 VOLTSTMOS V is a new technology designed to achieve an onresistanceRDS(on) = 0.04 OHMarea product about o

 6.1. Size:278K  motorola
 mtb36n06erev0.pdf pdf_icon

MTB36N06V

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB36N06E/DDesigner's Data SheetMTB36N06ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 36 AMPERES60 VOLTSThe D2PAK package has the capability of housing a larger dieRDS(on) = 0.04 OHMthan any existing surface mo

 6.2. Size:239K  motorola
 mtb36n06e.pdf pdf_icon

MTB36N06V

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB36N06E/DDesigner's Data SheetMTB36N06ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 36 AMPERES60 VOLTSThe D2PAK package has the capability of housing a larger dieRDS(on) = 0.04 OHMthan any existing surface mo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GSM4214W , GSM4228 , GSM4248W , GSM4401S , GSM4403 , GSM4412 , GSM4412W , GSM4422 , STP75NF75 , PHP36N06E , PHB36N06E , FTD36N06N , SFP65N06 , IPI16CN10N , GSM4424 , GSM4424W , GSM4435 .

History: WMS12P03T1 | RUH60100M

 

 
Back to Top

 


 
.