Справочник MOSFET. MTB36N06V

 

MTB36N06V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTB36N06V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 138 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 337 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB36N06V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  motorola
 mtb36n06v.pdf pdf_icon

MTB36N06V

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB36N06V/DDesigner's Data SheetMTB36N06VTMOS VMotorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 32 AMPERES60 VOLTSTMOS V is a new technology designed to achieve an onresistanceRDS(on) = 0.04 OHMarea product about o

 0.1. Size:241K  motorola
 mtb36n06vrev2x.pdf pdf_icon

MTB36N06V

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB36N06V/DDesigner's Data SheetMTB36N06VTMOS VMotorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 32 AMPERES60 VOLTSTMOS V is a new technology designed to achieve an onresistanceRDS(on) = 0.04 OHMarea product about o

 6.1. Size:278K  motorola
 mtb36n06erev0.pdf pdf_icon

MTB36N06V

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB36N06E/DDesigner's Data SheetMTB36N06ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 36 AMPERES60 VOLTSThe D2PAK package has the capability of housing a larger dieRDS(on) = 0.04 OHMthan any existing surface mo

 6.2. Size:239K  motorola
 mtb36n06e.pdf pdf_icon

MTB36N06V

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB36N06E/DDesigner's Data SheetMTB36N06ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 36 AMPERES60 VOLTSThe D2PAK package has the capability of housing a larger dieRDS(on) = 0.04 OHMthan any existing surface mo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SIR626DP | SDF120JDA-D | FDPF8N50NZU | DG840 | IRLU3715 | KNB1906A | AM2314N

 

 
Back to Top

 


 
.