MTB36N06V datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MTB36N06V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 138 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 337 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для MTB36N06V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB36N06V даташит

 ..1. Size:210K  motorola
 mtb36n06v.pdf pdf_icon

MTB36N06V

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTB36N06V/D Designer's Data Sheet MTB36N06V TMOS V Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor D2PAK for Surface Mount TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 32 AMPERES 60 VOLTS TMOS V is a new technology designed to achieve an on resistance RDS(on) = 0.04 OHM area product about o

 0.1. Size:241K  motorola
 mtb36n06vrev2x.pdf pdf_icon

MTB36N06V

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTB36N06V/D Designer's Data Sheet MTB36N06V TMOS V Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor D2PAK for Surface Mount TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 32 AMPERES 60 VOLTS TMOS V is a new technology designed to achieve an on resistance RDS(on) = 0.04 OHM area product about o

 6.1. Size:278K  motorola
 mtb36n06erev0.pdf pdf_icon

MTB36N06V

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTB36N06E/D Designer's Data Sheet MTB36N06E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device High Energy Power FET D2PAK for Surface Mount TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 36 AMPERES 60 VOLTS The D2PAK package has the capability of housing a larger die RDS(on) = 0.04 OHM than any existing surface mo

 6.2. Size:239K  motorola
 mtb36n06e.pdf pdf_icon

MTB36N06V

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTB36N06E/D Designer's Data Sheet MTB36N06E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device High Energy Power FET D2PAK for Surface Mount TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 36 AMPERES 60 VOLTS The D2PAK package has the capability of housing a larger die RDS(on) = 0.04 OHM than any existing surface mo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GSM4214W, GSM4228, GSM4248W, GSM4401S, GSM4403, GSM4412, GSM4412W, GSM4422, 7N65, PHP36N06E, PHB36N06E, FTD36N06N, SFP65N06, IPI16CN10N, GSM4424, GSM4424W, GSM4435