GSM4535W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM4535W

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для GSM4535W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM4535W даташит

 ..1. Size:1190K  globaltech semi
 gsm4535w.pdf pdf_icon

GSM4535W

GSM4535W 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4535W, P-Channel enhancement mode -40V/-6.2A,RDS(ON)= 35m @VGS= -10V OSFET, uses Advanced Trench Technology to -40V/-5.2A,RDS(ON)= 50m @VGS= -4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited

 7.1. Size:1224K  globaltech semi
 gsm4535.pdf pdf_icon

GSM4535W

40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4535, P-Channel enhancement mode -40V/-6.2A,RDS(ON)= 35m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -40V/-5.2A,RDS(ON)= 50m @VGS= -4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) volt

 8.1. Size:1320K  globaltech semi
 gsm4539ws.pdf pdf_icon

GSM4535W

GSM4539WS 30V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4539WS, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/5.8A,RDS(ON)=36m @VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/5.5A,RDS(ON)=46m @VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -30V/-5.4A,RDS(ON)=62m @VGS=-10V

 8.2. Size:1320K  globaltech semi
 gsm4539s.pdf pdf_icon

GSM4535W

GSM4539S 30V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4539S, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/5.8A,RDS(ON)=40m @VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/5.5A,RDS(ON)=50m @VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -30V/-5.4A,RDS(ON)=65m @VGS=-10V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GSM4440, GSM4440W, GSM4447, GSM4486, GSM4510S, GSM4516, GSM4516W, GSM4535, 12N60, GSM4539S, GSM4539WS, GSM4546, GSM4559, GSM4599, GSM4599W, GSM4634WS, GSM4637