Справочник MOSFET. GSM4539S

 

GSM4539S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: GSM4539S
   Маркировка: 4539S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8P

 Аналог (замена) для GSM4539S

 

 

GSM4539S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1320K  globaltech semi
 gsm4539s.pdf

GSM4539S GSM4539S

GSM4539S 30V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4539S, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/5.8A,RDS(ON)=40m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/5.5A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -30V/-5.4A,RDS(ON)=65m@VGS=-10V

 7.1. Size:1320K  globaltech semi
 gsm4539ws.pdf

GSM4539S GSM4539S

GSM4539WS 30V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4539WS, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/5.8A,RDS(ON)=36m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/5.5A,RDS(ON)=46m@VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -30V/-5.4A,RDS(ON)=62m@VGS=-10V

 8.1. Size:1224K  globaltech semi
 gsm4535.pdf

GSM4539S GSM4539S

40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4535, P-Channel enhancement mode -40V/-6.2A,RDS(ON)= 35m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -40V/-5.2A,RDS(ON)= 50m@VGS= -4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) volt

 8.2. Size:1190K  globaltech semi
 gsm4535w.pdf

GSM4539S GSM4539S

GSM4535W 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4535W, P-Channel enhancement mode -40V/-6.2A,RDS(ON)= 35m@VGS= -10V OSFET, uses Advanced Trench Technology to -40V/-5.2A,RDS(ON)= 50m@VGS= -4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top