Справочник MOSFET. GSM4822WS

 

GSM4822WS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM4822WS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для GSM4822WS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM4822WS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:747K  globaltech semi
 gsm4822ws.pdf pdf_icon

GSM4822WS

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4822WS, N-Channel enhancement mode 30V/6.0A,RDS(ON)=34m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/5.0A,RDS(ON)=44m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage powe

 7.1. Size:813K  globaltech semi
 gsm4822s.pdf pdf_icon

GSM4822WS

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4822S, N-Channel enhancement mode 30V/6.0A,RDS(ON)=30m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/5.0A,RDS(ON)=42m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage power

 9.1. Size:826K  globaltech semi
 gsm4896.pdf pdf_icon

GSM4822WS

GSM4896 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4896, N-Channel enhancement mode 100V/6.8A,RDS(ON)=115m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 100V/5.6A,RDS(ON)=125m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for lo

 9.2. Size:723K  globaltech semi
 gsm4804.pdf pdf_icon

GSM4822WS

40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4804, N-Channel enhancement mode 40V/16A,RDS(ON)= 48m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/10A,RDS(ON)= 70m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage power

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GSM4559 , GSM4599 , GSM4599W , GSM4634WS , GSM4637 , GSM4637W , GSM4804 , GSM4822S , P60NF06 , GSM4850WS , GSM4874WS , GSM4896 , GSM4900W , GSM4906 , GSM4922W , GSM4924 , GSM4924W .

History: STL22N65M5 | SL3405

 

 
Back to Top

 


 
.