GSM5004S datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: GSM5004S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для GSM5004S
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
GSM5004S даташит
gsm5004s.pdf
GSM5004S 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM5004S, N-Channel enhancement mode 40V/20A,RDS(ON)= 5.5m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/15A,RDS(ON)= 6.5m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low TO-25
gsm5008s.pdf
GSM5008S 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM5008S, N-Channel enhancement mode 40V/20A,RDS(ON)= 8.5m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/15A,RDS(ON)= 10.5m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low TO-2
gsm501dea.pdf
GSM501DEA 600V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM501DEA is an N-channel depletion-mode 600V/16mA,RDS(ON)=700 @VGS=10V Power MOSEFT which is produced using VDMOS 600V/3mA,RDS(ON)=700 @VGS=4.5V technology. Depletion-mode (Normally-on) Improved ESD ability Fast switching The improved planar stripe cell have been especially Impr
Другие IGBT... GSM4946W, GSM4948, GSM4953S, GSM4953WS, GSM4996, GSM4997, GSM4998, GSM4998W, 7N60, GSM5008S, GSM501DEA, GSM5604, GSM5606, GSM6202S, GSM6236S, GSM6332, GSM6405
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ | ASDM20N100Q | ASDM12N65F | ASDM100R750PKQ | ASDM100R160NKQ | ASDM100R090NP | ASDM100R066NQ | ASDM100R045NQ | ASDM100N34KQ | ASDM100N15KQ | FTF30P35D
Popular searches
c828 transistor | c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a



