Справочник MOSFET. GSM6561

 

GSM6561 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM6561
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для GSM6561

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM6561 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:436K  globaltech semi
 gsm6561.pdf pdf_icon

GSM6561

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6561, N-Channel enhancement mode 30V/3.6A,RDS(ON)=75m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.0A,RDS(ON)=102m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS(ON) voltage power

 8.1. Size:436K  globaltech semi
 gsm6562.pdf pdf_icon

GSM6561

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6562, N-Channel enhancement mode 30V/3.6A,RDS(ON)=70m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.0A,RDS(ON)=78m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/2.2A,RDS(ON)=95m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low Super high density cell design for ex

 9.1. Size:1368K  globaltech semi
 gsm6506s.pdf pdf_icon

GSM6561

GSM6506S GSM6506S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Description Features GSM6506S, N-Channel enhancement mode 30V/18A,RDS(ON)=2.5m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/12A,RDS(ON)=3.5m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremelylow RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 9.2. Size:920K  globaltech semi
 gsm6520s.pdf pdf_icon

GSM6561

GSM6520S GSM6520S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Description Features GSM6520S, N-Channel enhancement mode 30V/16A,RDS(ON)=7.6m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/13A,RDS(ON)=12.4m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremelylow RDS (ON) These devices are particularly suite

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GSM6236S , GSM6332 , GSM6405 , GSM6405WS , GSM6424 , GSM6506S , GSM6520S , GSM6530S , AO4468 , GSM6562 , GSM6601 , GSM6602 , GSM6604 , GSM6801 , GSM6820 , GSM6830 , GSM6993 .

History: OSG60R060HT3F | HY029N10B | AOTF2146L

 

 
Back to Top

 


 
.