GSM6561 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM6561

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для GSM6561

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM6561 даташит

 ..1. Size:436K  globaltech semi
 gsm6561.pdf pdf_icon

GSM6561

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6561, N-Channel enhancement mode 30V/3.6A,RDS(ON)=75m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.0A,RDS(ON)=102m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS(ON) voltage power

 8.1. Size:436K  globaltech semi
 gsm6562.pdf pdf_icon

GSM6561

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6562, N-Channel enhancement mode 30V/3.6A,RDS(ON)=70m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.0A,RDS(ON)=78m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/2.2A,RDS(ON)=95m @VGS=2.5V These devices are particularly suited for low Super high density cell design for ex

 9.1. Size:1368K  globaltech semi
 gsm6506s.pdf pdf_icon

GSM6561

GSM6506S GSM6506S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6506S, N-Channel enhancement mode 30V/18A,RDS(ON)=2.5m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/12A,RDS(ON)=3.5m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 9.2. Size:920K  globaltech semi
 gsm6520s.pdf pdf_icon

GSM6561

GSM6520S GSM6520S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6520S, N-Channel enhancement mode 30V/16A,RDS(ON)=7.6m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/13A,RDS(ON)=12.4m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suite

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GSM6236S, GSM6332, GSM6405, GSM6405WS, GSM6424, GSM6506S, GSM6520S, GSM6530S, 60N06, GSM6562, GSM6601, GSM6602, GSM6604, GSM6801, GSM6820, GSM6830, GSM6993