GSM7002 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM7002

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для GSM7002

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM7002 даташит

 ..1. Size:808K  globaltech semi
 gsm7002.pdf pdf_icon

GSM7002

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features The GS7002 is the N-Channel enhancement mode 60V/0.50A , RDS(ON)= 6.0 @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell 60V/0.30A , RDS(ON)= 7.0 @VGS=5V density DMOS technology. These products have Super high density cell design for extremely been designed to minimize on-state resistance lo

 0.1. Size:429K  globaltech semi
 gsm7002w.pdf pdf_icon

GSM7002

GSM7002W 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features The GSM7002W is the N-Channel enhancement 60V/0.50A , RDS(ON)= 7.5 @VGS=10V mode field effect transistors are produced using 60V/0.05A , RDS(ON)= 7.5 @VGS=5V high cell density DMOS technology. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These products have been designed to minimize

 0.2. Size:289K  globaltech semi
 gsm7002t.pdf pdf_icon

GSM7002

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features The GSM7002T is the Dual N-Channel 60V/0.50A , RDS(ON)= 2.0 @VGS=10V enhancement mode field effect transistors are 60V/0.20A , RDS(ON)= 4.0 @VGS=4.5V produced using high cell density DMOS Super high density cell design for extremely technology. low RDS (ON) Exceptional on-resistance and maximum

 0.3. Size:434K  globaltech semi
 gsm7002j.pdf pdf_icon

GSM7002

GSM7002J 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features The GSM7002J is the N-Channel enhancement 60V/0.50A , RDS(ON)= 7.5 @VGS=10V mode field effect transistors are produced using 60V/0.05A , RDS(ON)= 7.5 @VGS=5V high cell density DMOS technology. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These products have been designed to minimize

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GSM6562, GSM6601, GSM6602, GSM6604, GSM6801, GSM6820, GSM6830, GSM6993, IRF540N, GSM7002J, GSM7002K, GSM7002T, GSM7002W, GSM7106S, GSM7400, GSM7402, GSM7412