GSM7420 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM7420

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT-323

Аналог (замена) для GSM7420

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM7420 даташит

 ..1. Size:870K  globaltech semi
 gsm7420.pdf pdf_icon

GSM7420

GSM7420 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM7420, N-Channel enhancement mode 30V/3.6A , RDS(ON)= 60m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/2.6A , RDS(ON)= 70m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for l

 8.1. Size:755K  globaltech semi
 gsm7424s.pdf pdf_icon

GSM7420

GSM7424S GSM7424S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM7424S, N-Channel enhancement mode 30V/20A,RDS(ON)=5m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/15A,RDS(ON)=7m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for

 9.1. Size:862K  globaltech semi
 gsm7412.pdf pdf_icon

GSM7420

GSM7412 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM7412, N-Channel enhancement mode 20V/3.8A , RDS(ON)= 52m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/3.2A , RDS(ON)= 56m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.8A , RDS(ON)= 68m @VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices a

 9.2. Size:885K  globaltech semi
 gsm7472s.pdf pdf_icon

GSM7420

GSM7472S GSM7472S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM7472S, N-Channel enhancement mode 30V/15A,RDS(ON)=8.6m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/13A,RDS(ON)=14m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GSM7002J, GSM7002K, GSM7002T, GSM7002W, GSM7106S, GSM7400, GSM7402, GSM7412, IRF640N, GSM7424S, GSM7472S, GSM7617WS, GSM7619WS, GSM7923WS, GSM8205, GSM8206, GSM8411