GSM8816 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM8816

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8P

Аналог (замена) для GSM8816

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM8816 даташит

 ..1. Size:781K  globaltech semi
 gsm8816.pdf pdf_icon

GSM8816

GSM8816 30V Common-Drain N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8816, N-Channel enhancement mode 30V/8A,RDS(ON)=21m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/5A,RDS(ON)=24m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/4A,RDS(ON)=27m @VGS=2.5V Super high density cell design for extremely These devices

 9.1. Size:439K  globaltech semi
 gsm8822.pdf pdf_icon

GSM8816

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8822, N-Channel enhancement mode 20V/7.2A,RDS(ON)=28m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/4.8A,RDS(ON)=32m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/3.0A,RDS(ON)=45m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Super high density cell desig

 9.2. Size:616K  globaltech semi
 gsm8803.pdf pdf_icon

GSM8816

GSM8803 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8803, P-Channel enhancement mode -20V/-5.4A,RDS(ON)=32m @VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-4.0A,RDS(ON)=42m @VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-3.0A,RDS(ON)=58m @VGS=-1.8V Super high density cell design for extremely These devic

 9.3. Size:432K  globaltech semi
 gsm8822s.pdf pdf_icon

GSM8816

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8822S, N-Channel enhancement mode 20V/6.5A,RDS(ON)=32m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/4.8A,RDS(ON)=35m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for These devices are particularly suited for low extremely low RDS (ON) volt

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GSM8439, GSM8451, GSM8452, GSM8459, GSM8471, GSM8473, GSM8483, GSM8803, 2N7002, GSM8822, GSM8822S, GSM8823, GSM8904, GSM8918, GSM8931, GSM8936, GSM8943