GSM9510S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM9510S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для GSM9510S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM9510S даташит

 ..1. Size:985K  globaltech semi
 gsm9510s.pdf pdf_icon

GSM9510S

GSM9510S 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9510S, P-Channel enhancement mode -100V/-8.0A,RDS(ON)=200m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -100V/-7.0A,RDS(ON)=220m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suite

 9.1. Size:998K  globaltech semi
 gsm9575s.pdf pdf_icon

GSM9510S

GSM9575S 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9575S, P-Channel enhancement mode -60V/-18A,RDS(ON)=68m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -60V/-12A,RDS(ON)=78m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for l

 9.2. Size:1264K  globaltech semi
 gsm9566w.pdf pdf_icon

GSM9510S

GSM9566W 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9566W, P-Channel enhancement mode -40V/-5.0A,RDS(ON)=80m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -40V/-3.5A,RDS(ON)=105m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited fo

 9.3. Size:997K  globaltech semi
 gsm9565s.pdf pdf_icon

GSM9510S

GSM9565S 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9565S, P-Channel enhancement mode -40V/-8.6A,RDS(ON)=58m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -40V/-6.2A,RDS(ON)=86m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GSM8988W, GSM8989, GSM8995, GSM9407, GSM9434WS, GSM9435S, GSM9435WS, GSM9498, AON7506, GSM9565S, GSM9566W, GSM9575S, GSM9576, GSM9910, GSM9971, GSM9971B, GSM9972S