GSM9972S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: GSM9972S
Маркировка: 9972S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 35 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 35 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 300 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.015 Ohm
Тип корпуса: TO-252
GSM9972S Datasheet (PDF)
gsm9972s.pdf
GSM9972S 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9972S, N-Channel enhancement mode 60V/35A,RDS(ON)=15m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/25A,RDS(ON)=18m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low
gsm9971b.pdf
GSM9971B 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9971B, N-Channel enhancement mode 60V/18A,RDS(ON)=56m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/12A,RDS(ON)=62m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low
gsm9977.pdf
GSM9977 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9977, N-Channel enhancement mode 60V/8A,RDS(ON)=118m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/6A,RDS(ON)=130m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low T
gsm9971.pdf
60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9971, N-Channel enhancement mode 60V/18A,RDS(ON)= 42m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/12A,RDS(ON)= 50m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage power
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
