GSM9972S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM9972S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для GSM9972S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM9972S даташит

 ..1. Size:931K  globaltech semi
 gsm9972s.pdf pdf_icon

GSM9972S

GSM9972S 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9972S, N-Channel enhancement mode 60V/35A,RDS(ON)=15m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/25A,RDS(ON)=18m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 8.1. Size:922K  globaltech semi
 gsm9971b.pdf pdf_icon

GSM9972S

GSM9971B 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9971B, N-Channel enhancement mode 60V/18A,RDS(ON)=56m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/12A,RDS(ON)=62m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 8.2. Size:803K  globaltech semi
 gsm9977.pdf pdf_icon

GSM9972S

GSM9977 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9977, N-Channel enhancement mode 60V/8A,RDS(ON)=118m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/6A,RDS(ON)=130m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low T

 8.3. Size:433K  globaltech semi
 gsm9971.pdf pdf_icon

GSM9972S

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9971, N-Channel enhancement mode 60V/18A,RDS(ON)= 42m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/12A,RDS(ON)= 50m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage power

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GSM9510S, GSM9565S, GSM9566W, GSM9575S, GSM9576, GSM9910, GSM9971, GSM9971B, IRF1407, GSM9977, GSM9987, GSM9990S, GSM9995S, GSM9997, GSMBSS123, GSMBSS138, GSMBSS84