GSMBSS84 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: GSMBSS84
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для GSMBSS84
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
GSMBSS84 даташит
gsmbss84.pdf
GSMBSS84 GSMBSS84 50V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features -50V/-0.1A,RDS(ON)=10 @VGS=-5V GSMBSS84, P-Channel enhancement mode Super high density cell design for extremely MOSFET, uses Advanced Trench Technology to low RDS (ON) provide excellent RDS(ON), low gate charge. Exceptional on-resistance and maximum DC current capability The
gsmbss123.pdf
GSMBSS123 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features The GSMBSS123 is the N-Channel enhancement 100V/0.1A , RDS(ON)=6.0 @VGS=10V mode field effect transistors are produced using SOT-23 package design high cell density DMOS technology. Lead(Pb)-Free These products have been designed to minimize on-state resistance while provide rugged, reliable, and
gsmbss138.pdf
GSMBSS138 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features The GSMBSS138 is the N-Channel enhancement 50V/0.2A , RDS(ON)=3.5 @VGS=5V mode field effect transistors are produced using 50V/0.2A , RDS(ON)=10 @VGS=2.75V high cell density DMOS technology. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These products have been designed to min
Другие IGBT... GSM9972S, GSM9977, GSM9987, GSM9990S, GSM9995S, GSM9997, GSMBSS123, GSMBSS138, 20N50, H5N2001LM, H5N2512FL-M0, H5N2522FP-E0, H5N2901FL-M0, H5N3005LM, H5N3007FL-M0, H5N5004PL-E0-E, H5N5005PL-E0-E
History: HYG110P04LQ2V
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor | 2sc1222 replacement | 2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement



